[發明專利]一種基于雙層膠技術的掩模平坦化方法

有效

• 申請號: 201310361799.2
• 申請日: 2013-08-19
• 公開（公告）號: CN103399461A
• 公開（公告）日: 2013-11-20
• 發明（設計）人: 羅先剛;王長濤;趙澤宇;王彥欽;沈同圣;劉玲;胡承剛;黃成;楊磊磊;潘思潔;崔建華;趙波
• 申請（專利權）人: 中國科學院光電技術研究所
• 主分類號: G03F7/00
• 分類號: G03F7/00;G03F7/16;G03F7/26
• 代理公司: 北京科迪生專利代理有限責任公司 11251
• 代理人: 成金玉

1.一種基于雙層膠技術的掩模平坦化方法，其特征步驟如下：

步驟（1）、在基底上沉積一定厚度的掩模層，并在掩模層上制備掩模圖形；

步驟（2）、在掩模圖形上涂敷光刻膠A，并進行前烘處理；

步驟（3）、在所述步驟（2）得到的結構上涂敷光刻膠B，并進行前烘處理；

步驟（4）、采用中心波長為365nm的紫外曝光光源從所述步驟（3）得到的結構背面入射，對光刻膠B進行曝光，顯影；

步驟（5）、在所述步驟（4）得到的結構內沉積二氧化硅層，厚度和鉻膜的厚度相等；

步驟（6）、將所述步驟（5）得到的結構放到有機溶劑中去除光刻膠A和光刻膠B。

2.根據權利要求1所述的一種基于雙層膠技術的掩模平坦化方法，其特征在于：所述步驟（1）中的基底材質是石英或者有機透明材料，同時基底為平面或曲面。

3.根據權利要求1所述的一種基于雙層膠技術的掩模平坦化方法，其特征在于：所述步驟（2）中，光刻膠A前烘的溫度為150～200℃，前烘的時間為5～30分鐘，光刻膠A在光刻膠B的顯影液中溶解速率要滿足比光刻膠B在光刻膠B的顯影液中顯影速率快的要求。

4.根據權利要求1所述的一種基于雙層膠技術的掩模平坦化方法，其特征在于：所述步驟（3）中，光刻膠B前烘的溫度為80℃～100℃，前烘的時間為10～30分鐘，光刻膠A和光刻膠B不能發生互溶現象。

5.根據權利要求1所述的一種基于雙層膠技術的掩模平坦化方法，其特征在于：所述步驟（4）中，曝光劑量為光刻膠B的感光劑量，顯影時間由光刻膠A和光刻膠B的總厚度決定。

6.根據權利要求1所述的一種基于雙層膠技術的掩模平坦化方法，其特征在于：所述步驟（5）中，二氧化硅的沉積方式為電子束蒸鍍以保證良好的方向性，二氧化硅的厚度由石英晶振儀監控。