[發明專利]一種制作阻變非揮發性存儲器阻變層氧化物薄膜的方法

無效

• 申請號: 201310361642.X
• 申請日: 2013-08-19
• 公開（公告）號: CN103400938A
• 公開（公告）日: 2013-11-20
• 發明（設計）人: 孫海濤;劉明;龍世兵;呂杭炳;劉琦;劉宇;張康瑋;路程;楊洪璋
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種制作阻變非揮發性存儲器阻變層氧化物薄膜的方法，其特征在于，包括:

步驟1:襯底預備;

步驟2:腔體抽真空;

步驟3:通入工作氣體與反應氣體，調整其流量值;

步驟4:調整工作氣壓，打開電源，氣體電離，開始反應;

步驟5:待系統穩定后，打開擋板，開始淀積;

步驟6:淀積一段時間后，調整反應氣體流量，繼續反應;

步驟7:結束反應，關閉電源但腔體內持續抽真空，待溫度至室溫后取出。

2.根據權利要求1所述的制作阻變非揮發性存儲器阻變層氧化物薄膜的方法，其特征在于，步驟1中所述襯底為已經制備好下電極的硅片。

3.根據權利要求1所述的制作阻變非揮發性存儲器阻變層氧化物薄膜的方法，其特征在于，步驟2中所述真空度預定值至少為8×10^-5Pa。

4.根據權利要求1所述的制作阻變非揮發性存儲器阻變層氧化物薄膜的方法，其特征在于，步驟3中所述通入工作氣體為氬氣(Ar)，反應氣體為氧氣(O₂)。

5.根據權利要求1所述的制作阻變非揮發性存儲器阻變層氧化物薄膜的方法，其特征在于，步驟4中所述工作氣壓為2×10^-2Pa。

6.根據權利要求1所述的制作阻變非揮發性存儲器阻變層氧化物薄膜的方法，其特征在于，步驟5中所述待系統穩定是由于起初反應不穩定，先工作一段時間，這段時間內有氧化物薄膜生成，是沉積在擋板上的。

7.根據權利要求1所述的制作阻變非揮發性存儲器阻變層氧化物薄膜的方法，其特征在于，步驟6中所述淀積一段時間后是淀積10分鐘后，所述調整反應氣體流量為調整氧氣(O₂)的流量。

8.根據權利要求1所述的制作阻變非揮發性存儲器阻變層氧化物薄膜的方法，其特征在于，步驟7中所述結束反應要先關閉擋板，再關閉電源，持續真空，待降溫。