[發明專利]濺射靶、透明導電膜、透明電極和電極基板及其制造方法

無效

• 申請號: 201310361614.8
• 申請日: 2006-08-30
• 公開（公告）號: CN103469167A
• 公開（公告）日: 2013-12-25
• 發明（設計）人: 矢野公規;井上一吉;田中信夫;海上曉;梅野聰
• 申請（專利權）人: 出光興產株式會社
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/08;H01B5/14
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 翟赟琪

1.一種濺射靶，其特征在于，

含有銦、錫、鋅及氧，利用X射線衍射XRD，基本上只觀測到紅綠柱石結構化合物的峰。

2.根據權利要求1所述的濺射靶，其特征在于，

所述紅綠柱石結構化合物由In₂O₃表示。

3.根據權利要求1或2所述的濺射靶，其特征在于，

由In/(In+Sn+Zn)表示的原子比為大于0.6且小于0.75的范圍內的值，由Sn/(In+Sn+Zn)表示的原子比為0.11～0.23的范圍內的值。

4.根據權利要求1或2所述的濺射靶，其特征在于，

關于X射線衍射XRD中的峰，紅綠柱石結構化合物的最大峰位置相對于In₂O₃單結晶粉末的峰，向正方向即廣角側移位。

5.根據權利要求1或2所述的濺射靶，其特征在于，

由電子射線微量分析儀觀察的Zn凝聚體的平均直徑為50μm以下。

6.根據權利要求1或2所述的濺射靶，其特征在于，

Cr、Cd的含量分別為10ppm質量以下。

7.根據權利要求1或2所述的濺射靶，其特征在于，

Fe、Si、Ti、Cu的含量分別為10ppm質量以下。

8.根據權利要求1或2所述的濺射靶，其特征在于，

紅綠柱石結構化合物的結晶粒徑為20μm以下。

9.根據權利要求1或2所述的濺射靶，其特征在于，

體電阻率在0.2～100mΩ·cm的范圍內。

10.根據權利要求1或2所述的濺射靶，其特征在于，

理論相對密度為90%以上。

11.一種濺射靶的制造方法，其特征在于，包括：

得到將作為濺射靶的原料的銦、錫及鋅的化合物以由In/(In+Sn+Zn)表示的原子比在大于0.6小于0.75的范圍內，且由Sn/(In+Sn+Zn)表示的原子比在0.11～0.23的范圍內的比例配合的混合物的工序；

將所述混合物加壓成形，制作成形體的工序；

在10～1，000℃/小時的范圍內，將所述成形體的溫度升溫的工序；

在1，100～1，700℃的范圍內的溫度，燒成所述成形體，得到燒結體的工序；

在10～1，000℃/小時的范圍內，冷卻所述燒結體的工序。

12.一種透明導電膜，其是利用濺射法，將權利要求1～10中任一項所述的濺射靶進行成膜而成的。

13.一種透明電極，其是蝕刻權利要求12所述的透明導電膜來制作的。

14.根據權利要求13所述的透明電極，其特征在于，

電極端部的錐角為30～89度。

15.一種透明電極的制作方法，其特征在于，

用含1～10質量%草酸水溶液，在20～50℃的溫度范圍下，蝕刻權利要求12所述的透明導電膜。

16.一種透明導電膜，其中，

包含：銦、鋅、錫的非晶質氧化物，滿足下述原子比1

原子比1

0.50＜In/(In+Zn+Sn)＜0.75

0.11＜Sn/(In+Zn+Sn)≤0.20

0.11＜Zn/(In+Zn+Sn)＜0.34。

17.根據權利要求16所述的透明導電膜，其中，

利用含有磷酸的蝕刻液進行的蝕刻速度A、與利用含有草酸的蝕刻液進行的蝕刻速度B之比即B/A為10以上。

18.一種透明電極，其包括：權利要求16所述的透明導電膜，其中，

所述透明電極的錐角為30～89度。

19.一種電極基板，其包括：包含權利要求16所述的透明導電膜的透明電極；由金屬或合金構成的層。

20.根據權利要求19所述的電極基板，其中，

所述金屬或合金包含：選自Al、Ag、Cr、Mo、Ta、W的一種或多種元素。

21.根據權利要求19或20所述的電極基板，其中，

用于半透半反射型液晶。