[發(fā)明專利]太陽能電池背場(chǎng)激光PN隔離工藝

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310361564.3
• 申請(qǐng)日: 2013-08-19
• 公開（公告）號(hào): CN103400905A
• 公開（公告）日: 2013-11-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 梁興芳;馮強(qiáng);王步峰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 潤峰電力有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/18
• 分類號(hào): H01L31/18
• 代理公司: 濟(jì)南圣達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 37221
• 代理人: 楊琪

1.一種太陽能電池背場(chǎng)激光PN隔離工藝，其特征在于，包括步驟：前清洗制絨、擴(kuò)散、PN隔離、后清洗、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法沉積氮化硅、絲網(wǎng)印刷燒結(jié)、測(cè)試分選；所述PN隔離采用激光刻蝕，具體方法是：在太陽能電池的背面，利用光纖激光器以100～120mm/s的刻線速率圍繞硅片的背面表面進(jìn)行邊緣刻槽，所述刻槽離硅片的邊緣距離為0.5mm，刻槽深度為10～15μm，從而實(shí)現(xiàn)PN隔離。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池背場(chǎng)激光PN隔離工藝，其特征在于，所述光纖激光器的波長為1064nm、頻率為10KHz。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池背場(chǎng)激光PN隔離工藝，其特征在于，所述后清洗是指通過質(zhì)量濃度為9～10%的氫氟酸溶液去除激光刻蝕出現(xiàn)的粉塵和機(jī)械損傷層以及擴(kuò)散遺留的磷硅玻璃。