[發明專利]半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201310360706.4
• 申請日: 2013-08-19
• 公開（公告）號: CN104078372B
• 公開（公告）日: 2017-06-06
• 發明（設計）人: 筑山慧至;福田昌利
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L21/68
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所11247
• 代理人: 陳海紅,段承恩

1.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，具備：

準備第一半導體芯片的工序，該第一半導體芯片具備在第一表面設置的第一凸起電極和第一對準標識；

準備第二半導體芯片的工序，該第二半導體芯片具備：在第二表面設置的第二凸起電極和第二對準標識；在與所述第二表面相反側的第三表面設置的第三凸起電極及第三對準標識；和將所述第二凸起電極和所述第三凸起電極電連接的貫穿電極；

準備第三半導體芯片的工序，該第三半導體芯片具備在第四表面設置的第四凸起電極和第四對準標識；

使所述第二半導體芯片移動到所述第一半導體芯片上并使所述第一表面和所述第二表面相對的工序；

取得第一xy坐標來作為所述第一半導體芯片的所述第一對準標識的位置信息且取得第二xy坐標來作為移動到所述第一半導體芯片上的所述第二半導體芯片的所述第二對準標識的位置信息的工序；

基于作為所述第一及第二對準標識的位置信息的所述第一及第二xy坐標來將所述第一半導體芯片和所述第二半導體芯片對位并層疊的工序；

使所述第一凸起電極和所述第二凸起電極接觸并加熱，且將所述第一凸起電極和所述第二凸起電極連接的工序；

使所述第三半導體芯片移動到所述第二半導體芯片上并使所述第三表面和所述第四表面相對的工序；

取得第三xy坐標來作為所述第二半導體芯片的所述第三對準標識的位置信息且取得第四xy坐標來作為移動到所述第二半導體芯片上的所述第三半導體芯片的所述第四對準標識的位置信息的工序；

求出在所述第二半導體芯片的層疊時取得的作為所述第一對準標識的位置信息的第一xy坐標和作為所述第三對準標識的位置信息的第三xy坐標的平均坐標，通過將所述第四對準標識相對于所述平均坐標進行對照來 將所述第二半導體芯片和所述第三半導體芯片對位并層疊的工序；和

使所述第三凸起電極和所述第四凸起電極接觸并加熱，且將所述第三凸起電極和所述第四凸起電極連接的工序。

2.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，具備：

準備第一半導體芯片的工序，該第一半導體芯片具備在第一表面設置的第一凸起電極和第一對準標識；

準備第二半導體芯片的工序，該第二半導體芯片具備：在第二表面設置的第二凸起電極和第二對準標識；在與所述第二表面相反側的第三表面設置的第三凸起電極及第三對準標識；和將所述第二凸起電極和所述第三凸起電極電連接的貫穿電極；

準備第三半導體芯片的工序，該第三半導體芯片具備在第四表面設置的第四凸起電極和第四對準標識；

使所述第二半導體芯片移動到所述第一半導體芯片上并使所述第一表面和所述第二表面相對的工序；

取得所述第一半導體芯片的所述第一對準標識和移動到所述第一半導體芯片上的所述第二半導體芯片的所述第二對準標識的位置信息的工序；

基于所述第一及第二對準標識的位置信息來將所述第一半導體芯片和所述第二半導體芯片對位并層疊的工序；

使所述第三半導體芯片移動到所述第二半導體芯片上并使所述第三表面和所述第四表面相對的工序；

取得所述第二半導體芯片的所述第三對準標識和移動到所述第二半導體芯片上的所述第三半導體芯片的所述第四對準標識的位置信息的工序；和

基于所述第一對準標識的位置信息和所述第三及第四對準標識的位置信息來將所述第二半導體芯片和所述第三半導體芯片對位并層疊的工序。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

所述第三半導體芯片具備：在與所述第四表面相反側的第五表面上設置的第五凸起電極及第五對準標識；和將所述第四凸起電極和所述第五凸 起電極電連接的貫穿電極，

該半導體裝置的制造方法還具備：

準備第四半導體芯片的工序，該第四半導體芯片具備在第六表面上設置的第六凸起電極和第六對準標識；

使所述第四半導體芯片移動到所述第三半導體芯片上并使所述第五表面和所述第六表面相對的工序；

取得所述第三半導體芯片的所述第五對準標識和移動到所述第三半導體芯片上的所述第四半導體芯片的所述第六對準標識的位置信息的工序；和

至少基于所述第一對準標識的位置信息和所述第五及第六對準標識的位置信息來將所述第三半導體芯片和所述第四半導體芯片對位并層疊的工序。