[發明專利]Mach-Zehder干涉儀結構的硅基光隔離器

有效

• 申請號: 201310360194.1
• 申請日: 2013-08-16
• 公開（公告）號: CN103472536A
• 公開（公告）日: 2013-12-25
• 發明（設計）人: 劉燁;高卓旸;姜淳
• 申請（專利權）人: 上海交通大學
• 主分類號: G02B6/26
• 分類號: G02B6/26;G02B6/28;G02F1/225
• 代理公司: 上海漢聲知識產權代理有限公司 31236
• 代理人: 胡晶

1.一種Mach-Zehder干涉儀結構的硅基光隔離器，其特征在于，包括一個硅基Mach-Zehder干涉儀和實施在所述Mach-Zehder干涉儀上臂、下臂的上微擾調制結構、下微擾調制結構，

所述上微擾調制結構將沿上臂正向傳播的一特定頻率光信號耦合成一目標頻率的光信號，所述下微擾調制結構將沿下臂正向傳播的光信號耦合成所述目標頻率的光信號，所述下微擾調制結構耦合產生的目標頻率光信號與所述上微擾調制結構產生的目標頻率光信號相位相反；當光信號沿干涉儀反向傳播時上臂及下臂均不發生信號耦合。

2.如權利要求1所述的Mach-Zehder干涉儀結構的硅基光隔離器，其特征在于，所述含時微擾調制結構實施于所述上臂波導、下臂波導的方法為：

在所述上臂與下臂的波導中進行摻雜，造成折射率的起伏，然后對摻雜后的波導通電，造成折射率的時間變化。

3.如權利要求1或2所述的Mach-Zehder干涉儀結構的硅基光隔離器，其特征在于，所述上微擾調制結構的調制函數為：ϵ′(z,t)=δ(x)cos(Ωt-(-q)z+π)-d2<x<0δ(x)cos(Ωt-(-q)z)0<x<d2,]]>

所述下微擾調制結構的調制函數為ϵ′(z,t)=δ(x)cos(Ωt-(-q)z+π)0<x<d2δ(x)cos(Ωt-(-q)z)-d2<x<0.]]>其中滿足q=k₁-k₂和Ω=ω₂-ω₁，ω₁為所述特定頻率光信號的頻率，ω₂為所述目標頻率信號的頻率，k₁、k₂分別為所述特定頻率光信號、目標頻率信號的波數。