[發明專利]一種鉬基低溫燒結微波介質陶瓷材料的應用及其制備方法

有效

• 申請號: 201310360119.5
• 申請日: 2013-08-16
• 公開（公告）號: CN103435340A
• 公開（公告）日: 2013-12-11
• 發明（設計）人: 龐利霞;劉衛國;周迪;折文匯;徐萍
• 申請（專利權）人: 西安工業大學
• 主分類號: C04B35/453
• 分類號: C04B35/453;C04B35/622
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責任公司 61200
• 代理人: 蔡和平

1.一種鉬基低溫燒結陶瓷材料在制備微波介質器件中的應用，其中，所述的鉬基低溫燒結陶瓷材料的組成表達式為：(1-x)Bi₂O₃-(x)Ln₂O₃-MoO₃，Ln=La或Nd，0.001≤x≤0.3。

2.根據權利要求1所述的應用，其特征在于，所述的微波介質器件為射頻多層陶瓷電容器、片式微波介質諧振器或濾波器、低溫共燒陶瓷系統、陶瓷基板或多芯片組件。

3.根據權利要求1所述的應用，其特征在于，所述的鉬基低溫燒結陶瓷材料的微波介電常數ε_r=21～31，諧振頻率溫度系數TCF=-110～-70ppm/℃，高品質因數Qf=20,300～32,300GH。

4.一種如權利要求1所述的鉬基低溫燒結微波介質陶瓷材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

1）將原料Bi₂O₃、La₂O₃、Nd₂O₃和MoO₃按組成通式(1-x)Bi₂O₃-(x)Ln₂O₃-MoO₃配料，式中Ln=La或Nd，0.001≤x≤0.3；

2）將混合后的原料充分球磨，球磨后烘干、過篩并壓制成塊狀體，然后在500～600℃下保溫4～10h，得到樣品燒塊；

3）將樣品燒塊粉碎，充分球磨后烘干，然后造粒，造粒后過篩，得到所需的二次顆粒；

4）將二次顆粒壓制成型，在800～1000℃下燒結1～3h，得到鉬基低溫燒結微波介質陶瓷材料。

5.根據權利要求4所述的鉬基低溫燒結微波介質陶瓷材料的制備方法，其特征在于，所述步驟2）的球磨是將混合后的原料置于尼龍罐中，加入酒精后，球磨4～6h；烘干是在180～220℃的條件下進行的；過篩是用140～160目的篩網。

6.根據權利要求4所述的鉬基低溫燒結微波介質陶瓷材料的制備方法，其特征在于，所述步驟3）的球磨時間為4～6h；烘干是在180～220℃的條件下進行的；過篩是經80目與120目的雙層篩網。

7.根據權利要求4所述的鉬基低溫燒結微波介質陶瓷材料的制備方法，其特征在于，步驟4）所述的壓制成型是壓制成片狀或柱狀。

8.根據權利要求4所述的鉬基低溫燒結微波介質陶瓷材料的制備方法，其特征在于，步驟4）所述的燒結是在空氣氛圍下的燒結。