[發明專利]金屬氧化物半導體場效應晶體管

有效

• 申請號: 201310359820.5
• 申請日: 2013-08-16
• 公開（公告）號: CN104051530A
• 公開（公告）日: 2014-09-17
• 發明（設計）人: 許俊豪
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種方法，包括：

將第一金屬層沉積在本征SiO₂層上，所述本征SiO₂層設置在金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的源極和漏極中的至少一個上；以及

由所述本征SiO₂層和部分所述第一金屬層形成金屬氧化物層，所述第一金屬層的剩余部分、所述金屬氧化物層以及所述源極和所述漏極中的至少一個形成金屬絕緣體半導體（MIS）接觸件。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，形成所述金屬氧化物層的步驟使得在所述金屬氧化物層下方的所述源極和所述漏極中的至少一個上生成凸起的硅層。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，通過快速熱退火（RTA）工藝實施形成所述金屬氧化物層的步驟。

4.根據權利要求3所述的方法，其中，實施所述RTA工藝的峰值溫度介于300℃到600℃之間且峰值持續時間介于1秒到2秒之間。

5.根據權利要求1所述的方法，進一步包括：在所述第一金屬層上沉積第二金屬層。

6.根據權利要求1所述的方法，進一步包括：對所述第一金屬層實施化學機械平坦化。

7.根據權利要求1所述的方法，進一步包括：穿過設置在所述MOSFET上方的介電層朝向所述源極和所述漏極形成接觸孔。

8.根據權利要求1所述的方法，進一步包括：在所述源極和所述漏極中的至少一個上形成所述本征SiO₂層。

9.一種方法，包括：

將第一金屬層沉積在本征SiO₂層上，所述本征SiO₂層設置在金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的源極和漏極中的至少一個上；以及

實施熱工藝以由所述本征SiO₂層和部分所述第一金屬層形成金屬氧化物層和凸起的硅層，所述凸起的硅層設置在所述金屬氧化物層下方的所述源極和所述漏極中的至少一個上，所述第一金屬層的剩余部分、所述金屬氧化物層以及所述源極和所述漏極中的至少一個形成金屬絕緣體半導體（MIS）接觸件。

10.一種金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET），包括：

襯底；

源極，位于所述襯底上；

漏極，位于所述襯底上；

凸起的硅層，位于所述源極和所述漏極中的至少一個上；

金屬氧化物層，位于所述凸起的硅層上；以及

第一金屬層，位于所述金屬氧化物層上，

其中，所述第一金屬層、所述金屬氧化物層和所述源極和所述漏極中的至少一個形成金屬絕緣體半導體（MIS）接觸件。