[發(fā)明專利]環(huán)氧樹脂組合物以及使用該環(huán)氧樹脂組合物的輻射熱電路板

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310359662.3
• 申請日: 2013-08-16
• 公開（公告）號: CN103588957A
• 公開（公告）日: 2014-02-19
• 發(fā)明（設計）人: 尹晟賑;李赫洙;趙寅熙;樸宰萬;金明正;尹鐘欽;樸正郁;李棕湜;吉建榮;江坦喬;金振煥
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: C08G59/28
• 分類號: C08G59/28;C08G59/30;C08G59/50;C08K7/18;C08K3/22;C08K3/28;C08K3/38;C08K3/34;C08K3/36;C08L63/00;H05K1/03
• 代理公司: 北京鴻元知識產權代理有限公司 11327
• 代理人: 黃麗娟;陳英俊

1.一種環(huán)氧樹脂組合物，包含：

環(huán)氧樹脂和無機填料，所述環(huán)氧樹脂包含結晶環(huán)氧樹脂，所述環(huán)氧樹脂組合物滿足下面的條件i)：

i)熱導率為2.13W/m·K或更高。

2.根據(jù)權利要求1所述的環(huán)氧樹脂組合物，其還滿足下面的條件ii)：

ii)玻璃化轉變溫度為125℃或更高。

3.根據(jù)權利要求1所述的環(huán)氧樹脂組合物，其中，所述結晶環(huán)氧樹脂在分子結構中含有C和N的雙鍵(即-C=N-)。

4.根據(jù)權利要求1所述的環(huán)氧樹脂組合物，其中，所述結晶環(huán)氧樹脂由下面的化學式1表示：

其中，

R₁、R₃、R₅和R₇各自獨立地表示單鍵或含有C6至C24的芳環(huán)結構，

R₂和R₆各自獨立地表示單鍵或C和N的雙鍵(即-C=N-)，且R₂和R₆中的至少任意一個表示C和N的雙鍵(即-C=N-)，

R₄表示氧原子、硫原子或磷原子，

m和n各自獨立地為0至5的整數(shù)，且當m或n為0時其是指單鍵，

其中，R₁至R₇每一個中的氫被選自含有C1至C4的烷基、含有C6至C18的芳基和氰基中的至少一種基團取代。

5.根據(jù)權利要求1所述的環(huán)氧樹脂組合物，其中，基于所述環(huán)氧樹脂組合物的總重量，所述環(huán)氧樹脂的含量為3wt%至60wt%。

6.根據(jù)權利要求5所述的環(huán)氧樹脂組合物，其中，基于所述環(huán)氧樹脂的總重量，所述結晶環(huán)氧樹脂的含量為至少12wt%。

7.根據(jù)權利要求1所述的環(huán)氧樹脂組合物，其中，所述環(huán)氧樹脂還包含非晶環(huán)氧樹脂。

8.根據(jù)權利要求1所述的環(huán)氧樹脂組合物，其中，基于所述環(huán)氧樹脂組合物的總重量，所述無機填料的含量為40wt%至97wt%。

9.根據(jù)權利要求1所述的環(huán)氧樹脂組合物，其還包含固化劑，其中基于所述環(huán)氧樹脂組合物的總重量，所述固化劑的含量為0.5wt%至5wt%。

10.一種包含環(huán)氧樹脂的輻射熱電路板，包括：

金屬板，

形成于所述金屬板上的絕緣層，和

形成于所述絕緣層上的電路圖案，

其中，所述絕緣層包含環(huán)氧樹脂和無機填料，所述環(huán)氧樹脂包含結晶環(huán)氧樹脂。

11.根據(jù)權利要求10所述的輻射熱電路板，其中，所述結晶環(huán)氧樹脂由下面的化學式1表示：

其中，

R₁、R₃、R₅和R₇各自獨立地表示單鍵或含有C6至C24的芳環(huán)結構，

R₂和R₆各自獨立地表示單鍵或C和N的雙鍵(即-C=N-)，且R₂和R₆中的至少任意一個表示C和N的雙鍵(即-C=N-)，

R₄表示氧原子、硫原子或磷原子，

m和n各自獨立地為0至5的整數(shù)，且當m或n為0時其是指單鍵，

其中，R₁至R₇每一個中的氫被選自含有C1至C4的烷基、含有C6至C18的芳基和氰基中的至少一種基團取代。

12.根據(jù)權利要求10所述的輻射熱電路板，其中，基于所述環(huán)氧樹脂組合物的總重量，所述環(huán)氧樹脂的含量為3wt%至60wt%，

基于所述環(huán)氧樹脂組合物的總重量，所述固化劑的含量為0.5wt%至5wt%，

基于所述環(huán)氧樹脂組合物的總重量，所述無機填料的含量為40wt%至97wt%，

所述環(huán)氧樹脂組合物的總重量為100wt%。

13.根據(jù)權利要求10所述的輻射熱電路板，其中，基于所述環(huán)氧樹脂的總重量，所述結晶環(huán)氧樹脂的含量為至少12wt%。