[發明專利]成長高可靠性IGBT金屬連接的方法

有效

• 申請號: 201310359631.8
• 申請日: 2013-08-16
• 公開（公告）號: CN104377130B
• 公開（公告）日: 2017-12-05
• 發明（設計）人: 李琳松
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/331
• 分類號: H01L21/331
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司31211
• 代理人: 高月紅

1.一種成長IGBT金屬連接的方法，其特征在于，包括步驟：

1）刻蝕硅襯底，形成溝槽；

2）在溝槽側壁和底部以及硅襯底表面成長柵極氧化層，并在柵極氧化層表面沉積多晶硅，填充滿溝槽，并經柵極刻蝕，形成IGBT溝槽型柵極；

3）在柵極氧化層和多晶硅表面上，沉積層間介質層；

4）在層間介質層表面上，通過光刻工藝，完成金屬連接層槽的形成；

5）濕法刻蝕層間介質層，使層間介質層形成一具有斜度的界面，且該具有斜度的界面的頂部直至溝槽頂部的凹陷口處；

6）干法刻蝕層間介質層和柵極氧化層，直至接觸到硅襯底，完成金屬連接層槽的刻蝕；

7）對層間介質層進行退火回流，形成界面圓滑的金屬連接層結構。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟2）中，成長柵極氧化層的方法包括：使用擴散爐管成長柵極氧化層的方法。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟3）中，沉積的方法包括：常壓化學氣相淀積和次常壓化學汽相沉積；

層間介質層的材質包括：硼磷硅玻璃。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟5）中，濕法刻蝕中的藥液為氫氟酸系藥液。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟7）中，退火回流的工藝條件為：在擴散爐管進行退火回流，退火回流的溫度為930～970℃，時間為20～40分鐘。