[發明專利]陣列基板及其制造方法和顯示裝置

在審

• 申請號: 201310359419.1
• 申請日: 2013-08-16
• 公開（公告）號: CN103456739A
• 公開（公告）日: 2013-12-18
• 發明（設計）人: 李月;董學;薛海林;陳小川
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;陳源

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，特別涉及一種陣列基板及其制造方法和顯示裝置。

背景技術

在顯示技術領域，非晶硅（a-Si）技術和低溫多晶硅（Low?Temperature?Poly-silicon，簡稱：LTPS）技術應用較為廣泛。其中，隨著顯示技術的發展，LTPS技術憑借其高效能和高清晰的特點，得到了越來越廣泛的應用。

現有技術中，當采用LTPS技術制成陣列基板時，其像素區存在漏電流過大的問題；當采用非晶硅（a-Si）技術制成陣列基板時，其周邊區的構圖結構使得顯示裝置難以實現窄邊框設計。

綜上所述，現有技術中還沒有一種在降低像素區漏電流的同時能夠使得顯示裝置實現窄邊框設計的技術方案。

發明內容

本發明提供一種陣列基板及其制造方法和顯示裝置，用于降低像素區的漏電流，并實現顯示裝置的窄邊框設計。

為實現上述目的，本發明提供了一種陣列基板，包括：襯底基板和形成于所述襯底基板上的像素區和周邊區，所述周邊區位于所述像素區的周邊，所述像素區包括：非晶硅薄膜晶體管，所述周邊區包括：低溫多晶硅結構。

可選地，所述非晶硅薄膜晶體管包括底柵型非晶硅薄膜晶體管。

可選地，所述低溫多晶硅結構包括低溫多晶硅薄膜晶體管。

可選地，所述低溫多晶硅薄膜晶體管包括頂柵型低溫多晶硅薄膜晶體管。

可選地，所述襯底基板上形成有緩沖層，所述緩沖層位于所述像素區和所述周邊區。

可選地，所述非晶硅薄膜晶體管包括非晶硅有源層圖形，所述低溫多晶硅薄膜晶體管包括低溫多晶硅有源層圖形，所述非晶硅有源層圖形和所述低溫多晶硅有源層圖形同層設置。

為實現上述目的，本發明提供了一種顯示裝置，包括：上述陣列基板。

為實現上述目的，本發明提供了一種陣列基板的制造方法，包括：

在襯底基板上形成像素區和周邊區，所述周邊區位于所述像素區的周邊，所述像素區包括非晶硅薄膜晶體管，所述周邊區包括低溫多晶硅結構。

可選地，所述低溫多晶硅結構包括低溫多晶硅薄膜晶體管；

所述在襯底基板上形成像素區和周邊區包括：

在所述襯底基板上形成所述非晶硅薄膜晶體管和所述低溫多晶硅薄膜晶體管。

可選地，所述在所述襯底基板上形成所述非晶硅薄膜晶體管和所述低溫多晶硅薄膜晶體管包括：

在所述襯底基板上形成非晶硅薄膜晶體管的柵極、源極、漏極和非晶硅有源層圖形以及所述低溫多晶硅薄膜晶體管的柵極、源漏極圖形和低溫多晶硅有源層圖形，所述非晶硅有源層圖形和所述低溫多晶硅有源層圖形同層設置。

可選地，所述在所述襯底基板上形成非晶硅薄膜晶體管的柵極、源極、漏極和非晶硅有源層圖形以及所述低溫多晶硅薄膜晶體管的柵極、源漏極圖形和低溫多晶硅有源層圖形包括：

在所述襯底基板上形成所述非晶硅薄膜晶體管的柵極；

在所述非晶硅薄膜晶體管的柵極的上方形成柵絕緣層；

在所述像素區形成非晶硅圖形以及在所述周邊區形成低溫多晶硅圖形，所述非晶硅有源層圖形包括所述非晶硅圖形；

在所述低溫多晶硅圖形的上方形成柵絕緣圖形；

在所述柵絕緣圖形的上方形成所述低溫多晶硅薄膜晶體管的柵極；

對所述低溫多晶硅圖形進行摻雜處理，形成所述低溫多晶硅有源層圖形；

在所述非晶硅有源層圖形的上方形成所述非晶硅薄膜晶體管的源極和漏極，以及在所述低溫多晶硅有源層圖形的上方形成所述低溫多晶硅薄膜晶體管的源漏極圖形。

可選地，所述在所述像素區形成非晶硅圖形以及在所述周邊區形成低溫多晶硅圖形包括：

在所述柵絕緣層的上方形成非晶硅材料層；

通過UV基板對所述像素區進行遮擋，對位于所述周邊區的非晶硅材料層進行激光晶化處理，以在所述周邊區形成低溫多晶硅材料層；

對位于所述像素區的非晶硅材料層和位于所述周邊區的低溫多晶硅材料層進行構圖工藝，在所述像素區形成非晶硅圖形以及在所述周邊區形成低溫多晶硅圖形。

本發明具有以下有益效果：