[發明專利]半導體發光元件及其制造方法

有效

• 申請號: 201310359009.7
• 申請日: 2013-08-16
• 公開（公告）號: CN103682026B
• 公開（公告）日: 2017-04-12
• 發明（設計）人: 戶谷真悟;出口將士
• 申請（專利權）人: 豐田合成株式會社
• 主分類號: H01L33/42
• 分類號: H01L33/42;H01L33/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 顧晉偉,全萬志

1.一種用于制造半導體發光元件的方法，所述方法包括：

在襯底的主表面上形成由第III族氮化物基化合物半導體構成的半導體層的半導體層形成步驟；

在所述半導體層上形成透明導電金屬氧化物膜的透明導電金屬氧化物膜形成步驟；

在所述透明導電金屬氧化物膜上方形成電極的電極形成步驟；

形成用于覆蓋所述透明導電金屬氧化物膜的一部分的掩模層的掩模層形成步驟；以及

在含氧氣氛中對其上形成有所述掩模層的所述透明導電金屬氧化物膜進行熱處理的熱處理步驟；

其中，在所述熱處理步驟中，使所述透明導電金屬氧化物膜的未被所述掩模層覆蓋的剩余部分的氧濃度高于所述透明導電金屬氧化物膜的被所述掩模層覆蓋的部分的氧濃度。

2.根據權利要求1所述的用于制造半導體發光元件的方法，其中所述掩模層是絕緣層，并且所述絕緣層的至少一部分保留在所述透明導電金屬氧化物膜上。

3.根據權利要求1所述的用于制造半導體發光元件的方法，其中所述掩模層是絕緣層和電極；所述絕緣層和所述電極中的每一個的至少一部分保留在所述透明導電金屬氧化物膜上。

4.根據權利要求1所述的用于制造半導體發光元件的方法，還包括：

在所述熱處理步驟之后，從所述透明導電金屬氧化物膜移除所述掩模層的掩模層移除步驟；

其中在所述掩模層移除步驟之后，執行電極形成步驟。

5.根據權利要求1所述的用于制造半導體發光元件的方法，還包括：

在所述掩模層形成步驟之前，在無氧氣氛中執行熱處理的熱處理步驟；

其中在無氧氣氛中的所述熱處理步驟中的熱處理溫度高于在含氧氣氛中的熱處理步驟的熱處理溫度。

6.一種半導體發光元件，包括：

襯底；

形成在襯底的主表面上的由第III族氮化物基化合物半導體構成的半導體層；

形成在所述半導體層上的單個透明導電金屬氧化物膜；以及

電連通至所述透明導電金屬氧化物膜的布線電極；

其中所述透明導電金屬氧化物膜包括具有低氧濃度的低氧濃度區域和與所述低氧濃度區域相比具有更高氧濃度的高氧濃度區域；以及

其中所述布線電極形成在所述低氧濃度區域的區域寬度內。

7.根據權利要求6所述的半導體發光元件，其包括在所述透明導電金屬氧化物膜上的覆蓋所述低氧濃度區域的絕緣層；

其中所述布線電極包括接觸所述透明導電金屬氧化物膜的多個接觸部以及將所述接觸部彼此電連接的并且形成在所述絕緣層上的布線部；

其中所述布線部沿著所述絕緣層形成；

所述接觸部接觸所述低氧濃度區域。

8.根據權利要求6所述的半導體發光元件，其中所述透明導電金屬氧化物膜的材料為通過向In₂0₃添加其它金屬所獲得的化合物。

9.根據權利要求8所述的半導體發光元件，其中所述透明導電金屬氧化物膜的材料為ITO或IZO。