[發明專利]一種TFT陣列基板及其制造方法

有效

• 申請號: 201310358639.2
• 申請日: 2013-08-15
• 公開（公告）號: CN103441128A
• 公開（公告）日: 2013-12-11
• 發明（設計）人: 吳劍龍
• 申請（專利權）人: 南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368
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• 代理人: 暫無信息

1.一種TFT陣列基板，該TFT陣列基板形成于底板上，其包括：掃描線、與掃描線縱橫交錯的數據線、以及由掃描線和數據線交叉限定的若干像素單元，每個像素單元均包括像素電極、TFT單元、以及有源層，所述TFT單元包括與掃描線連接的柵極、與數據線電性連接源極、以及與像素電極連接的漏極，其特征在于：所述有源層由IGZO制成的，所述像素電極、源極、和漏極均由離子注入工藝將裸露的IGZO層成為具有導電特性的導體而形成，且所述像素電極、源極、和漏極、有源層均位于TFT陣列基板的底層。

2.根據權利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于：所述數據線位于TFT陣列基板的底層。

3.根據權利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于：所述數據線位于像素電極、源極、和漏極、以及有源層之上。

4.一種TFT陣列基板的制造方法，該TFT陣列基板形成于底板上，其特征在于：其包括如下步驟：

第一步：在底板上形成數據線；

第二步：在形成上述第一步圖案的基礎上覆蓋形成一層IGZO層，該IGZO層的形狀為在數據線所在的位置、預定的像素電極所在的位置、預定的源極和漏極所在的位置、以及TFT溝道區所在的位置；

第三步：形成上述第二步圖案的基礎上，首先形成第一絕緣膜，再在第一絕緣膜上形成第二金屬層，最后通過刻蝕工藝形成第一絕緣膜和柵線的疊成圖案，其中，柵線包括連接的掃描線和柵極，掃描線與數據線在空間上縱橫交錯，柵極位于IGZO層在預定的TFT溝道區所在的位置之上；

第四步：形成上述第三步圖案的基礎上，通過離子注入工藝將裸露的IGZO層成為具有導電特性的導體，并形成具有導電特征并位于柵極一側的源極、位于柵極另一側的漏極、與漏極連接的像素電極，位于TFT溝道區所在的位置的IGZO層是本TFT陣列基板的有源層。

5.一種TFT陣列基板的制造方法，該TFT陣列基板形成于底板100上，其特征在于：其包括如下步驟：

第一步：先在底板100上覆蓋一層IGZO層，再在IGZO層覆蓋形成第一金屬層，最后在第一金屬層上形成光刻膠；

第二步：形成上述第一步的基礎上，用半色調掩模對第一步形成的圖案進行曝光，該半色調掩模在位于預定數據線的位置為不透光部分、位于預定像素電極、源極、漏極、以及TFT溝道區的位置為半透光部分、其余位于都是透光部分，通過半色調掩模曝光、顯影、刻蝕，使得預定數據線的位置仍保留光刻膠和第一金屬層；使得預定像素電極、源極、漏極、以及TFT溝道區的位置的光刻膠被刻蝕薄一些；使得其余位置的光刻膠都被刻蝕掉，剩余疊層的第一金屬層和IGZO層；

第三步：形成上述第二步的基礎上，通過刻蝕工藝去除位于半色調掩模的透光部分下的第一金屬層和IGZO層，露出位于半色調掩模的透光部分下的底板；

第四步：形成上述第三步的基礎上，對光刻膠進行灰化處理，使得光刻膠較薄的區域被完全灰化，在預定數據線的區域仍存在光刻膠，即：半色調掩模的半透光部分下的光刻膠都被灰化，露出第一金屬層；半色調掩模的不透光部分仍覆蓋光刻膠；

第五步：形成上述第四步的基礎上，通過刻蝕工藝去除位于半色調掩模的半透光部分下的第一金屬層，露出位于底板上的IGZO層；

第六步：形成上述第五步的基礎上，去除位于半色調掩模的不透光部分下的第一金屬層上的光刻膠，露出第一金屬層，即：該第一金屬層形成數據線；

第七步：在形成上述第六步的基礎上，首先形成第一絕緣膜，再在第一絕緣膜上形成第二金屬層，最后通過刻蝕工藝形成第一絕緣膜和柵線的疊成圖案，其中，柵線包括連接的掃描線和柵極，掃描線與數據線在空間上縱橫交錯，柵極位于IGZO層預定在TFT溝道區所在的位置之上；

第八步：在形成上述第七步圖案的基礎上，通過離子注入工藝將裸露的IGZO層成為具有導電特性的導體，并形成具有導電特征的位于柵極一側的源極、位于柵極另一側的漏極、以及與漏極連接的像素電極，位于TFT溝道區所在的位置的IGZO層是本TFT陣列基板的有源層。

6.根據權利要求4或5所述的TFT陣列基板的制造方法，其特征在于：在形成數據線的同時形成與IGZO層直接接觸的電極層，該電極層，與后續形成的掃描線，之間形成存儲電容。