[發明專利]檢測晶片深溝槽結構的實際關鍵尺寸及是否過刻蝕的方法

有效

• 申請號: 201310358577.5
• 申請日: 2013-08-16
• 公開（公告）號: CN104377141B
• 公開（公告）日: 2017-05-03
• 發明（設計）人: 章安娜;徐振宇;許凌燕;李曉明
• 申請（專利權）人: 無錫華潤華晶微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司11332
• 代理人: 胡彬

1.一種檢測晶片深溝槽結構的實際關鍵尺寸及是否過刻蝕的方法，所述晶片包括外延層、位于所述外延層上的刻蝕停止層以及位于刻蝕停止層上的襯底層，其特征在于，所述方法包括：

S1、在所述襯底層上形成貫穿該襯底層的多個孔，所述多個孔的每個孔的關鍵尺寸和個數及孔間距根據待制作的深溝槽結構的預設關鍵尺寸而設定，以使得所述多個孔的總長度大于所述深溝槽結構的預設關鍵尺寸，其中，所述每個孔的關鍵尺寸為D2，個數為N，所述孔間距為d，所述多個孔的總長度為L，所述深溝槽結構的預設關鍵尺寸為D，則L＝D2×N+d×(N-1)，L>D；

S2、對所述外延層中對應于所述襯底層中的所述多個孔的位置進行刻蝕，以形成深溝槽結構；

S3、以光從所述外延層向所述襯底層方向照射所述晶片，在所述襯底層表面上形成亮場區和暗場區，其中，所述亮場區與光穿過該外延層的深溝槽結構區域相對應；

S4、識別所述亮場區中所述孔的數目，根據所述孔的數目計算所述深溝槽結構的實際關鍵尺寸，其中，所述孔的數目為N1，所述深溝槽結構的實際關鍵尺寸為D1；

S5、如果所述深溝槽結構的實際關鍵尺寸小于所述深溝槽結構的預設關鍵尺寸，即D1<D，則指示刻蝕不完全，調整后續工藝時間，返回步驟S2；如果識別出的所述襯底層上的孔出現連接，則表明外延層的深溝槽結構已經過刻蝕。

2.根據權利要求1所述的檢測晶片深溝槽結構的實際關鍵尺寸及是否過刻蝕的方法，其特征在于，所述步驟S3包括：

將所述晶片以外延層向下、襯底層向上置于顯微鏡的透明載物臺上；

所述顯微鏡的光源發射的光依次穿過所述晶片的深溝槽結構、刻蝕停止層、襯底層上的多個孔，在所述襯底層表面上形成所述亮場區。

3.根據權利要求1所述的檢測晶片深溝槽結構的實際關鍵尺寸及是否過刻蝕的方法，其特征在于，所述識別所述亮場區中所述孔的數目采用人工讀取方式。

4.根據權利要求1所述的檢測晶片深溝槽結構的實際關鍵尺寸及是否過刻蝕的方法，其特征在于，所述識別所述亮場區中所述孔的數目采用圖像識別方式。

5.根據權利要求1所述的檢測晶片深溝槽結構的實際關鍵尺寸及是否過刻蝕的方法，其特征在于，所述根據所述孔的數目計算所述深溝槽結構的實際關鍵尺寸通過以下公式得到：

D1＝D2×N1+d×(N1-1)。

6.根據權利要求1所述的檢測晶片深溝槽結構的實際關鍵尺寸及是否過刻蝕的方法，其特征在于，所述刻蝕為干法刻蝕或者濕法刻蝕。

7.根據權利要求6所述的檢測晶片深溝槽結構的實際關鍵尺寸及是否過刻蝕的方法，其特征在于，所述干法刻蝕為等離子體刻蝕或者反應離子刻蝕。

8.根據權利要求1所述的檢測晶片深溝槽結構的實際關鍵尺寸及是否過刻蝕的方法，其特征在于，所述襯底層和所述外延層的材料為硅，所述刻蝕停止層的材料為二氧化硅。