[發明專利]具有側壁間隔物的接觸墊及其制作方法

有效

• 申請號: 201310357770.7
• 申請日: 2013-08-16
• 公開（公告）號: CN103594388B
• 公開（公告）日: 2016-10-26
• 發明（設計）人: J.加特鮑爾;B.魏德甘斯
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L23/488;H01L25/07
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 王岳;劉春元

1.一種制作半導體器件的方法，該方法包括：

在工件上形成多個接觸墊，每個接觸墊具有下側壁和上側壁；

減小每個接觸墊的下寬度，使得每個接觸墊的上寬度大于下寬度；

在多個接觸墊上形成光刻膠；以及

去除光刻膠的部分從而沿下側壁形成側壁間隔物。

2.根據權利要求1的方法，其中形成光刻膠包括形成正性光刻膠。

3.根據權利要求2的方法，其中去除正性光刻膠包括曝光正性光刻膠和顯影正性光刻膠。

4.根據權利要求3的方法，其中曝光正性光刻膠包括在不使用光刻掩膜的情況下曝光正性光刻膠。

5.根據權利要求3的方法，其中曝光正性光刻膠包括以偽光刻掩膜曝光正性光刻膠。

6.根據權利要求1的方法，其中光刻膠是聚酰亞胺或PBO（聚苯并惡唑）。

7.根據權利要求1的方法，其中形成多個接觸墊包括形成銅層或銅合金層以及然后形成金屬材料層堆疊，其中金屬材料層堆疊包括鎳（Ni）和金（Au）。

8.根據權利要求7的方法，其中形成銅層包括電化學電鍍銅，并且其中形成金屬材料層堆疊包括電化學電鍍鎳（Ni），然后電化學電鍍鈀（Pd），以及然后電鍍金（Au）。

9.一種制作半導體器件的方法：

在工件上形成多個芯片接觸墊，其中每個芯片接觸墊具有上部分和下部分，上部分橫向突出下部分，并且其中每個芯片接觸墊包括沿著上部分的上側壁和沿著下部分的下側壁；

在多個芯片接觸墊的下側壁上形成光刻膠間隔物；

通過切割工件形成多個芯片，每個芯片具有芯片接觸墊；

在載體上放置多個芯片中的一個芯片；

將芯片接觸墊接合到載體的載體接觸墊；以及

用封裝材料來封裝芯片。

10.根據權利要求9的方法，其中形成光刻膠間隔物包括在工件上形成正性光刻膠以及從工件上去除正性光刻膠的部分從而形成正性光刻膠間隔物。

11.根據權利要求10的方法，其中去除正性光刻膠包括使正性光刻膠曝光，顯影正性光刻膠，以及固化正性光刻膠。

12.根據權利要求11的方法，其中使正性光刻膠曝光包括在不使用光刻掩膜的情況下曝光正性光刻膠或以偽光刻掩膜曝光正性光刻膠。

13.根據權利要求9的方法，其中芯片接觸墊的下部分包括銅或銅合金，其中芯片接觸墊的上部分包括金屬材料層堆疊，并且其中金屬材料層堆疊包括鎳層和金（Au）層。

14.根據權利要求13的方法，其中金屬材料層堆疊進一步包括鈀（Pd）層。

15.一種半導體器件，包括：

載體；

布置在載體上的芯片；

設置在芯片上的第一芯片接觸墊，第一芯片接觸墊具有下側壁和上側壁，第一芯片接觸墊的下寬度小于第一芯片接觸墊的上寬度，下寬度對應于下側壁而上寬度對應于上側壁；

沿第一芯片接觸墊的下側壁布置的光刻膠側壁間隔物；和

封裝芯片的封裝材料。

16.根據權利要求15的半導體器件，其中第一芯片接觸墊包括具有下側壁的銅層或銅合金層。

17.根據權利要求16的半導體器件，其中第一芯片接觸墊包括上側壁之間的金屬材料層堆疊，金屬材料層堆疊包括鎳（Ni）層和金（Au）層。

18.根據權利要求17的半導體器件，其中光刻膠側壁間隔物是正性光刻膠側壁間隔物。

19.根據權利要求15的半導體器件，其中載體包括第一載體接觸墊，并且其中第一芯片接觸墊電連接到第一載體接觸墊。

20.根據權利要求19的半導體器件，其中芯片包括第二芯片接觸墊并且載體包括第二載體接觸墊，其中第二芯片接觸墊電連接到第二載體接觸墊，并且其中第一和第二芯片接觸墊經由引線電連接到第一和第二載體接觸墊。

21.根據權利要求19的半導體器件，其中芯片包括第二芯片接觸墊并且載體包括第二載體接觸墊，其中第二芯片接觸墊電連接到第二載體接觸墊，并且其中第一和第二芯片接觸墊經由焊料電連接到第一和第二載體接觸墊。