[發(fā)明專利]一種橫向高壓MOSFET及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310356773.9
• 申請(qǐng)日: 2013-08-16
• 公開（公告）號(hào): CN103413830B
• 公開（公告）日: 2016-08-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 喬明;李燕妃;周鋅;吳文杰;許琬;陳濤;胡利志;張波
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 電子科技大學(xué);東莞電子科技大學(xué)電子信息工程研究院
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 成都宏順專利代理事務(wù)所(普通合伙) 51227
• 代理人: 李順德;王睿

1.一種橫向高壓MOSFET，包括第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體襯底（1）、第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體漂移區(qū)（2）、第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體體區(qū)（3）、第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體降場(chǎng)層（4）、場(chǎng)氧化層（6）、柵氧化層（7）、多晶硅柵電極（8）、金屬前介質(zhì)（9）、第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體漏區(qū)（10）、第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體源區(qū)（11）、第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體體接觸區(qū)（12）、源極金屬（13）、漏極金屬（14），所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體漂移區(qū)（2）和第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體體區(qū)（3）連接并分別嵌入設(shè)置在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體襯底（1）的兩端，第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體漂移區(qū)（2）和第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體體區(qū)（3）的上表面與第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體襯底（1）的上表面重合，所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體降場(chǎng)層（4）設(shè)置在第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體漂移區(qū)（2）中，所述場(chǎng)氧化層（6）嵌入設(shè)置在第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體漂移區(qū)（2）的上表面，所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體漏區(qū)（10）設(shè)置在第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體漂移區(qū)（2）中遠(yuǎn)離第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體體區(qū)（3）的端部且第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體漏區(qū)（10）的上表面與第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體漂移區(qū)（2）的上表面重合，氧化層（6）和第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體漏區(qū)（10）連接，所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體源區(qū)（11）和第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體體接觸區(qū)（12）設(shè)置在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體體區(qū)（3）中且第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體源區(qū)（11）和第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體體接觸區(qū)（12）的上表面與第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體體區(qū)（3）的上表面重合，第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體體接觸區(qū)（12）設(shè)置在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體體區(qū)（3）中遠(yuǎn)離第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體漂移區(qū)（2）的端部，第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體源區(qū)（11）和第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體體接觸區(qū)（12）連接，所述柵氧化層（7）覆蓋設(shè)置在部分第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體源區(qū)（11）的上表面并延伸至第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體漂移區(qū)（2）的上表面與氧化層（6）連接，所述多晶硅柵電極（8）覆蓋設(shè)置在柵氧化層（7）的上表面和部分氧化層（6）的上表面，金屬前介質(zhì)（9）覆蓋設(shè)置在部分第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體源區(qū)（11）的上表面、多晶硅柵電極（8）的上表面、氧化層（6）的上表面和部分第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體漏區(qū)（10）的上表面，所述源極金屬（13）覆蓋設(shè)置在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體體接觸區(qū)（12）的上表面、第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體源區(qū)（11）的部分上表面并與金屬前介質(zhì)（9）連接，在金屬前介質(zhì)（9）的上表面延伸形成場(chǎng)板，所述漏極金屬（14）覆蓋在第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體漏區(qū)（10）的部分上表面并與與金屬前介質(zhì)（9）連接，在金屬前介質(zhì)（9）的上表面延伸形成場(chǎng)板，其特征在于，還包括第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體重?fù)诫s層（5），所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體重?fù)诫s層（5）設(shè)置在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體降場(chǎng)層（4）和場(chǎng)氧化層（6）之間，第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體重?fù)诫s層（5）的上表面與場(chǎng)氧化層（6）的下表面連接、下表面靠近第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體漏區(qū)（10）部分與第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體降場(chǎng)層（4）的上表面連接。