[發明專利]帶有空腔的半導體襯底的制備方法

有效

• 申請號: 201310355143.X
• 申請日: 2013-08-15
• 公開（公告）號: CN103400797A
• 公開（公告）日: 2013-11-20
• 發明（設計）人: 葉斐;馬乾志;王中黨
• 申請（專利權）人: 上海新傲科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙) 31218
• 代理人: 孫佳胤;翟羽

1.一種帶有空腔的半導體襯底的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：?提供一第一襯底與第二襯底，所述第一襯底包括支撐層、支撐層表面的氧化層以及氧化層表面的器件層；?在第二襯底表面形成圖形化的空腔；?在第二襯底和/或器件層表面形成絕緣層；?以絕緣層和器件層為中間層，將第一襯底與第二襯底鍵合在一起；?對鍵合后的襯底實施退火步驟；?對第一襯底的支撐層實施機械研磨以減薄，并保留厚度大于5μm的支撐層；?對保留部分的支撐層實施化學機械拋光以將保留部分的支撐層全部去除；?腐蝕去除氧化層，形成帶有空腔的半導體襯底。

2.根據權利要求1所述的帶有空腔的半導體襯底的制備方法，其特征在于，所述器件層通過外延工藝形成。

3.根據權利要求1所述的帶有空腔的半導體襯底的制備方法，其特征在于，所述氧化層通過氧離子注入工藝形成。

4.根據權利要求1所述的帶有空腔的半導體襯底的制備方法，其特征在于，在支撐層上形成氧化層之后形成器件層之前，對第一襯底實施退火步驟。

5.根據權利要求1所述的帶有空腔的半導體襯底的制備方法，其特征在于，所述對第一襯底的支撐層實施機械研磨以減薄的步驟中，保留的支撐層厚度范圍進一步是小于10μm。

6.根據權利要求1所述的帶有空腔的半導體襯底的制備方法，其特征在于，所述對第一襯底的支撐層實施機械研磨以減薄的步驟中，首先對支撐層進行粗磨，然后再進行精磨。