[發明專利]計算干氧擴散反應參數的方法

有效

• 申請號: 201310354602.2
• 申請日: 2013-08-14
• 公開（公告）號: CN103400045A
• 公開（公告）日: 2013-11-20
• 發明（設計）人: 孫天拓;胡榮
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: G06F19/00
• 分類號: G06F19/00
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 陸花

1.一種計算干氧擴散工藝參數的方法，包括步驟：

一、設定柵氧化層的目標厚度；

二、設定干氧擴散的初始工藝參數；

三、計算出形成柵氧化層的模擬厚度；

四、將所述模擬厚度與所述目標厚度作比較，若相差大于0.2埃，則返回至步驟二，修改所述初始工藝參數，并重新計算出模擬厚度；若所述模擬厚度與所述目標厚度相差小于等于0.2埃，則以返回此時的初始工藝參數，作為模擬工藝參數；

五、使用所述模擬工藝參數進行試驗，測量生產出柵氧化層的實際厚度，若所述實際厚度與所述目標厚度相差大于0.2埃，則修改所述模擬工藝參數，重新試驗，直至相差小于等于0.2埃，得出此時的模擬工藝參數即為生產目標厚度柵氧化層所需的實際工藝參。

2.如權利要求1所述的計算干氧擴散工藝參數的方法，其特征在于，所述初始工藝參數包括氧氣的流量、初始反應時間以及反應溫度。

3.如權利要求1所述的計算干氧擴散工藝參數的方法，其特征在于，使用迭代公式計算出模擬厚度，所述迭代公式為：

-DhC(n)(i-1,j+1)+(2Dh+ht)C(n+1)(i,j+1)-DhC(n)(i+1,j+1)=htC(i,j)]]>

其中，h表示空間步長，t表示時間步長，C⁽ⁿ⁾(i,j)為第n次迭代過程中j時刻i位置的氧濃度，n表示迭代次數，i表示空間坐標，j表示當前時刻，D為氧擴散系數。