[發明專利]觸摸屏金屬架橋周邊確定位置短路金屬殘留的去除方法有效
| 申請號: | 201310354539.2 | 申請日: | 2013-08-14 |
| 公開(公告)號: | CN103399682A | 公開(公告)日: | 2013-11-20 |
| 發明(設計)人: | 許沭華;遲曉暉;王超 | 申請(專利權)人: | 蕪湖長信科技股份有限公司 |
| 主分類號: | G06F3/044 | 分類號: | G06F3/044 |
| 代理公司: | 天津市北洋有限責任專利代理事務所 12201 | 代理人: | 張金亭 |
| 地址: | 241009 安徽省*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 觸摸屏 金屬 架橋 周邊 確定 位置 短路 殘留 去除 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種觸摸屏短路的解決方法,特別是涉及一種觸摸屏金屬架橋周邊確定位置短路金屬殘留的去除方法。
背景技術
在采用搭橋結構的電容觸摸屏生產過程中,有時會出現電容兩極短路的質量不良問題。究其原因,通常是由于觸摸屏金屬架橋周邊確定位置存在金屬殘留,并且該金屬殘留將觸摸屏電容的X向極板和Y向極板導通。目前,對于這種質量不良,將直接導致觸摸屏報廢,給企業造成損失。大尺寸觸摸屏尤其明顯。
發明內容
本發明為解決公知技術中存在的技術問題而提供一種觸摸屏金屬架橋周邊確定位置短路金屬殘留的去除方法,該方法能夠去除觸摸屏金屬架橋周邊確定位置短路金屬殘留,使觸摸屏電容兩極彼此絕緣,從而解決觸摸屏電容兩極短路的質量不良問題。
本發明為解決公知技術中存在的技術問題所采取的技術方案是:一種觸摸屏金屬架橋周邊確定位置短路金屬殘留的去除方法,包括以下步驟:
一)采用檢測設備確定存在短路不良的電容觸摸屏金屬架橋周邊金屬殘留的位置;
二)將電容觸摸屏返回其絕緣光阻PI黃光制程,并按照如下步驟操作:
1)首先在金屬架橋及其周邊金屬殘留表面上涂布正性光阻;
2)然后將該電容觸摸屏用其絕緣光阻PI黃光制程的靶標固定在曝光機臺面上;
3)在曝光環節根據金屬殘留的延伸方向,且沿與金屬架橋垂直的方向偏移用于絕緣光阻曝光的光罩,使金屬架橋處于被曝光機光源照射的區域內且金屬殘留處于被遮掩的區域內曝光;
4)顯影去掉位于金屬殘留上的正性光阻;
三)刻蝕去掉金屬殘留;
四)剝膜去掉剩下的正性光阻,剝膜完畢即可得到架橋合格的良品。
本發明具有的優點和積極效果是:通過將金屬架橋周邊存在金屬殘留不良的電容觸摸屏返回其絕緣光阻PI涂布黃光制程,并采用在金屬架橋及其周邊金屬殘留上涂布一層正性光阻,在曝光環節通過向金屬殘留位置偏移光罩,使金屬架橋上的正性光阻曝光后顯影保留,去掉金屬殘留上的正性光阻,進而通過刻蝕去掉使觸摸屏電容兩極導通的金屬殘留,使觸摸屏電容兩極達到彼此絕緣的設計要求,剝膜去掉剩下的正性光阻,將不良品修復為良品。無需報廢,能夠大大減少因不良品而產生的損失。尤其是大尺寸觸摸屏,經濟效益尤其明顯。
附圖說明
圖1為電容觸摸屏金屬架橋周邊存在金屬殘留的結構示意圖;
圖2為金屬架橋周邊存在金屬殘留的電容觸摸屏返回其絕緣光阻涂布黃光制程并涂布正性光阻后,在偏移光罩下曝光的示意圖;
圖3為修復后良品金屬架橋的示意圖。
圖中:1、Y向電容電極,2、X向電容電極,3、絕緣光阻PI,4、金屬架橋,5、金屬殘留,6、被遮掩的區域。
具體實施方式
為能進一步了解本發明的發明內容、特點及功效,茲例舉以下實施例,并配合附圖詳細說明如下:
一)采用檢測設備確定存在短路不良的電容觸摸屏金屬架橋周邊金屬殘留的位置:
請參閱圖1,采用搭橋結構的電容觸摸屏上形成有ITO圖案,其中有連續的X向電容電極2和間斷的Y向電容電極1,在X向電容電極2和Y向電容電極1之間涂布有絕緣光阻PI3,在絕緣光阻PI3上有金屬架橋4,金屬架橋4連接相鄰的兩個Y向電容電極段,使它們導通,完成金屬架橋4的制程后,檢測發現存在X向電容電極2和Y向電容電極1短路不良,進一步的檢測結果為:在金屬架橋4的右側存在金屬殘留5,使Y向電容電極1和X向電容電極2短路。采用放大鏡檢查或用自動光學檢查儀A.O.I自動掃描確定金屬殘留5的位置。
二)將電容觸摸屏返回其絕緣光阻PI的黃光制程,其中PI—PASSIVATION?INSULATION,并按照如下步驟操作:
1)首先在金屬架橋4及其周邊金屬殘留5的表面上涂布正性光阻,通常是整個表面都有涂布。
2)然后將該電容觸摸屏用其絕緣光阻PI3黃光制程的靶標固定在曝光機臺面上;
3)在曝光環節根據金屬殘留5的延伸方向,且沿與金屬架橋4垂直的方向偏移用于該電容觸摸屏絕緣光阻3曝光的光罩,使金屬架橋4處于被曝光機光源照射的區域內且金屬殘留5處于被遮掩的區域6內曝光,請參見圖2;
4)顯影去掉位于金屬殘留4上的正性光阻,在產品表面形成凹孔,金屬殘留4裸露在凹孔內;
三)刻蝕去掉金屬殘留4,Y向電容電極1和X向電容電極2斷開,處于相互絕緣狀態;
四)剝膜去掉剩下的正性光阻,剝膜完畢即可得到金屬架橋4合格的良品,請參見圖3。
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