[發(fā)明專利]射頻橫向擴(kuò)散晶體管無缺陷深場氧隔離的成長方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310354097.1
• 申請日: 2013-08-14
• 公開（公告）號: CN104377134B
• 公開（公告）日: 2017-08-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李琳松
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司31211
• 代理人: 高月紅

1.一種射頻橫向擴(kuò)散晶體管無缺陷深場氧隔離的成長方法，其特征在于，包括步驟：

1)在硅片上，刻蝕出溝槽，深場氧隔離區(qū)的形成區(qū)域包括多個所述溝槽，所述溝槽的關(guān)鍵尺寸中的間距/線寬為0.5～3.0，所述溝槽的關(guān)鍵尺寸中的間距/線寬的比值使后續(xù)工藝中所述硅片的翹曲得到控制；所述溝槽形成后所述溝槽外的所述硅片表面露出；

2)對具有溝槽的硅片表面進(jìn)行氧化處理，形成第一氧化層，在所述深場氧隔離區(qū)的形成區(qū)域，所述第一氧化層的氧化處理工藝同時從側(cè)面以及從頂部對所述溝槽之間的硅進(jìn)行氧化且保證所述溝槽之間的硅有剩余，所述第一氧化層用于形成初次隔絕以及修復(fù)前層刻蝕損傷以及通過保留所述溝槽之間的硅來降低應(yīng)力以及防止晶格位錯缺陷發(fā)生；所述第一氧化層的厚度為500～2500埃；

3)在第一氧化層表面上，沉積第一非摻雜多晶硅層；

4)對沉積了第一非摻雜多晶硅層的硅片表面進(jìn)行氧化處理，形成多晶硅氧化層；所述多晶硅氧化層形成主隔離層；

5)在溝槽內(nèi)，沉積第二非摻雜多晶硅層，完成溝槽的無縫填充，并通過回刻確保只有溝槽內(nèi)存在非摻雜多晶硅；

6)對沉積了第二非摻雜多晶硅層的硅片表面進(jìn)行氧化處理，使溝槽內(nèi)的非摻雜多晶硅表面被氧化隔離，然后，對硅片表面進(jìn)行平坦化，從而形成深場氧隔離區(qū)。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟1)中，刻蝕的方法為干法刻蝕。

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于：所述溝槽的關(guān)鍵尺寸中的間距/線寬為1.8/2.4。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟2)中，氧化處理的溫度為800～1200℃，氧化處理的時間為10分鐘～5小時。

5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于：所述第一氧化層的厚度為2000埃。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟3)中，多晶硅沉積的方法包括：化學(xué)氣相沉積法；

沉積的溫度為500～700℃，沉積的時間為5分鐘～5小時；

第一非摻雜多晶硅層的厚度為1000～10000埃。

7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于：所述第一非摻雜多晶硅層的厚度為2500埃。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟4)中，氧化處理的溫度為800～1200℃，氧化處理的時間為10分鐘～5小時；

多晶硅氧化層的厚度為1000～20000埃。

9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于：所述多晶硅氧化層的厚度為6000埃。

10.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟5)中，多晶硅沉積的方法包括：化學(xué)氣相沉積法；

沉積的溫度為500～700℃，沉積的時間為5分鐘～5小時；

第二非摻雜多晶硅層的厚度為1000～20000埃；

回刻的方法為干法回刻。

11.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于：所述第二非摻雜多晶硅層的厚度為12000埃。

12.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟6)中，氧化處理的溫度為800～1200℃，氧化處理的時間為10分鐘～5小時；

溝槽內(nèi)的非摻雜多晶硅表面被氧化的厚度為1000～20000埃；

平坦化的方法包括：化學(xué)機(jī)械研磨法。

13.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于：所述溝槽內(nèi)的非摻雜多晶硅表面被氧化的厚度為6000埃。