[發(fā)明專利]一種基于磁致伸縮導(dǎo)波的橫波檢測裝置及檢測方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310354057.7 | 申請(qǐng)日: | 2013-08-14 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103424472A | 公開(公告)日: | 2013-12-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張東來;周智慧;孫金萍;張恩超 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 哈爾濱工業(yè)大學(xué)深圳研究生院 |
| 主分類號(hào): | G01N29/09 | 分類號(hào): | G01N29/09 |
| 代理公司: | 深圳市科吉華烽知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44248 | 代理人: | 彭益宏;韓云涵 |
| 地址: | 518000 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 伸縮 導(dǎo)波 檢測 裝置 方法 | ||
1.一種基于磁致伸縮導(dǎo)波的橫波檢測裝置,其特征在于,包括:信號(hào)發(fā)生器、連接該信號(hào)發(fā)生器的功率放大器、連接該功率放大器的激勵(lì)傳感器、檢測傳感器、連接該檢測傳感器的信號(hào)調(diào)理器、連接該信號(hào)調(diào)理器的信號(hào)采集存儲(chǔ)器、連接該信號(hào)采集存儲(chǔ)器的PC機(jī)以及給上述裝置供電的電源;其中,所述信號(hào)發(fā)生器還連接所述信號(hào)采集存儲(chǔ)器;所述激勵(lì)傳感器包括永磁體和沿周向繞在檢測對(duì)象上的激勵(lì)線圈,該激勵(lì)線圈至少2層嵌套,每一層激勵(lì)線圈的軸向長度相同,且每一層激勵(lì)線圈單獨(dú)連接一個(gè)功率放大器,所述永磁體沿檢測對(duì)象的周向設(shè)置在所述激勵(lì)線圈表面;所述檢測傳感器包括永磁體和沿周向繞在檢測對(duì)象上的檢測線圈,所述檢測線圈連接所述信號(hào)調(diào)理器,所述檢測線圈至少2層嵌套,每一層檢測線圈的軸向長度相同,且所有檢測線圈逐層串聯(lián),所述永磁體沿檢測對(duì)象的周向設(shè)置在所述激勵(lì)線圈表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于磁致伸縮導(dǎo)波的橫波檢測裝置,其特征在于:所述功率放大器包括電壓放大器和電流放大器,電壓放大器連接所述信號(hào)發(fā)生器,電流放大器連接所述激勵(lì)傳感器;所述信號(hào)采集存儲(chǔ)器包括信號(hào)采集卡和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器,該信號(hào)采集卡連接信號(hào)調(diào)理器,該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器連接所述PC機(jī)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于磁致伸縮導(dǎo)波的橫波檢測裝置,其特征在于:激勵(lì)線圈有3層,每層激勵(lì)線圈的匝數(shù)相同,與每一層激勵(lì)線圈分別連接的3個(gè)功率放大器產(chǎn)生的功率相同。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于磁致伸縮導(dǎo)波的橫波檢測裝置,其特征在于:與每一層激勵(lì)線圈分別連接的3個(gè)功率放大器輸出電流波形及起始時(shí)刻相同。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于磁致伸縮導(dǎo)波的橫波檢測裝置,其特征在于:設(shè)置在激勵(lì)線圈表面的永磁體有4個(gè),沿激勵(lì)線圈表面均勻分布,相鄰永磁體上相鄰磁極的極性相反。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基于磁致伸縮導(dǎo)波的橫波檢測裝置,其特征在于,激勵(lì)線圈產(chǎn)生的磁場的計(jì)算公式為:
該公式中,i表示第i層激勵(lì)線圈,為1~10內(nèi)的整數(shù);n表示激勵(lì)線圈的層數(shù);Hi表示第i層激勵(lì)線圈激勵(lì)出的交變磁場強(qiáng)度的安匝數(shù),H即為多層激勵(lì)線圈的合成磁場強(qiáng)度的安匝數(shù)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的基于磁致伸縮導(dǎo)波的橫波檢測裝置,其特征在于:檢測線圈共有3層,每一層檢測線圈匝數(shù)相同且同向纏繞;設(shè)置在檢測線圈表面的永磁體有4個(gè),沿檢測線圈表面均勻分布,相鄰永磁體上相鄰磁極的極性相反。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基于磁致伸縮導(dǎo)波的橫波檢測裝置,其特征在于:檢測傳感器檢測到電壓信號(hào)的計(jì)算公式為:
U=-(S1+S2+...+Si+...+Sn)NdB/dt
該公式中,N表示每一層的檢測線圈匝數(shù),一般取2~100間的整數(shù);dB/dt表示單位時(shí)間內(nèi)檢測線圈截面上磁感應(yīng)強(qiáng)度的變化率;Si表示第i層檢測線圈的截面積;U表示檢測線圈檢測到總電壓值。
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