[發明專利]圖像傳感器及其制造方法

無效

• 申請號: 201310352393.8
• 申請日: 2009-07-03
• 公開（公告）號: CN103500748A
• 公開（公告）日: 2014-01-08
• 發明（設計）人: 樸炳俊;金相熙
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 屈玉華

1.一種制造圖像傳感器的方法，該方法包括：

提供基板，所述基板中包括抗反射層；

在所述基板中形成至少一個感光器件；

在所述基板的第一表面上形成金屬互連結構；

在所述金屬互連結構上將第三基板接合到所述基板；以及

去除所述基板的除了所述抗反射層之外的一部分，

所述抗反射層包括熱氧化層。

2.如權利要求1所述的方法，其中提供所述基板包括在第一基板上形成蝕刻停止層、在硅基基板上形成所述抗反射層、以及將所述第一基板和所述硅基基板接合在一起而所述蝕刻停止層和所述抗反射層位于其間。

3.如權利要求2所述的方法，其中在硅基基板上形成所述抗反射層包括通過熱氧化所述硅基基板的表面來形成所述熱氧化層以及在所述熱氧化層上形成氧化層，所述氧化層不同于所述熱氧化層。

4.如權利要求3所述的方法，還包括在形成所述熱氧化層之后通過采用氫氣和/或惰性氣體離子的離子注入而在所述硅基基板中形成微腔層。

5.如權利要求3所述的方法，還包括在將所述第一基板和所述硅基基板接合在一起之后，利用所述微腔層去除所述硅基基板的一部分。

6.如權利要求2所述的方法，其中提供所述基板還包括在將所述第一基板和所述硅基基板接合在一起之后，利用蝕刻或化學機械拋光工藝去除所述硅基基板的一部分以減薄所述硅基基板。

7.一種圖像傳感器，包括：

硅基基板，具有第一表面和第二表面，所述第一表面與所述第二表面相反；

在所述硅基基板中的至少一個感光器件；

在所述硅基基板的第一表面上的金屬互連結構；

在所述金屬互連結構上的第三基板；

濾色器結構和微透鏡結構，順序形成在所述硅基基板的所述第二表面上；以及

抗反射層，位于所述硅基基板的所述第二表面與所述濾色器結構之間，

其中所述抗反射層包括熱氧化層。

8.如權利要求7所述的圖像傳感器，還包括在所述微透鏡結構上的保護層。

9.如權利要求8所述的圖像傳感器，其中所述保護層是氧化硅層。

10.如權利要求9所述的圖像傳感器，其中所述保護層共形地形成在所述微透鏡結構上。

11.一種圖像傳感器，包括：

硅基基板，具有第一表面和第二表面，所述第一表面與所述第二表面相反；

在所述硅基基板中的至少一個感光器件；

在所述硅基基板的第一表面上的金屬互連結構；

在所述金屬互連結構上的第三基板；

在所述硅基基板的第二表面上的熱氧化層；

在所述熱氧化層上的氧化層；

濾色器結構和微透鏡結構，順序形成在所述氧化層上；以及

保護層，共形地形成在所述微透鏡結構上。

12.如權利要求11所述的圖像傳感器，其中所述氧化層是氧化鉿層。

13.如權利要求12所述的圖像傳感器，其中所述氧化層的折射率高于所述熱氧化層的折射率且低于所述硅基基板的折射率。

14.如權利要求13所述的圖像傳感器，還包括在所述硅基基板中的接觸所述抗反射層的淺注入層。

15.如權利要求14所述的圖像傳感器，其中所述淺注入層包括p型雜質。

16.如權利要求15所述的圖像傳感器，其中所述p型雜質包括硼。

17.如權利要求14所述的圖像傳感器，其中所述第三基板利用直接接合而在所述金屬互連結構上接合到所述硅基基板。

18.一種圖像傳感器，包括：

硅基基板，其中包括至少一個感光器件；

熱氧化層，通過所述硅基基板的第二表面的熱氧化而形成在所述硅基基板上；

在所述熱氧化層上的氧化鉿層；

濾色器結構和微透鏡結構，順序形成在所述氧化鉿層上；以及

氧化硅層，共形地形成在所述微透鏡結構上。