[發(fā)明專利]高頻半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)及無(wú)線設(shè)備

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310351389.X
• 申請(qǐng)日: 2013-08-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103973280A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-08-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 國(guó)司侑吾;瀨下敏樹(shù)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社東芝
• 主分類號(hào): H03K17/687
• 分類號(hào): H03K17/687
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 陳萍

1.一種高頻半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)，其特征在于，具備：

第1端子；

多個(gè)第2端子；

第1直通FET組，由串聯(lián)連接的多個(gè)第1場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)成，一端與上述第1端子連接；

多個(gè)第2直通FET組，分別由串聯(lián)連接的多個(gè)第2場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)成，各自的一端分別與上述多個(gè)第2端子連接，各自的另一端共通地與上述第1直通FET組的另一端連接；以及

分流FET組，由串聯(lián)連接在上述第2端子和接地端子之間的多個(gè)第3場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)成；

將構(gòu)成上述第1直通FET組的上述第1場(chǎng)效應(yīng)晶體管的個(gè)數(shù)設(shè)為n、將分別構(gòu)成上述第2直通FET組的上述第2場(chǎng)效應(yīng)晶體管的個(gè)數(shù)設(shè)為m、并將上述第2直通FET組的個(gè)數(shù)設(shè)為x的情況下，

上述第2場(chǎng)效應(yīng)晶體管的個(gè)數(shù)m被設(shè)定為，在上述第1直通FET組為導(dǎo)通狀態(tài)且多個(gè)上述第2直通FET組為非導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，多個(gè)上述第2直通FET組的上述第2場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源漏極間電壓不超過(guò)擊穿電壓，而且，

上述第1場(chǎng)效應(yīng)晶體管的個(gè)數(shù)n根據(jù)上述x及上述m的值被設(shè)定為，在上述第1直通FET組及上述第2直通FET組為非導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，上述第1直通FET組的上述第1場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源漏極間電壓不超過(guò)擊穿電壓。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所記載的高頻半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)，其中，

將在上述第2直通FET組的上述第2場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源漏極間施加的最大電壓與擊穿電壓之比設(shè)為y、將上述第1直通FET組的上述第1場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極寬度設(shè)為WgA、并將上述多個(gè)第2直通FET組的上述第2場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極寬度設(shè)為WgB的情況下，

上述n的值被設(shè)定為滿足下式：

n≥m·{y-WgA/（x·WgB）}。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所記載的高頻半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)，其中，

上述第1直通FET組的上述第1場(chǎng)效應(yīng)晶體管的上述柵極寬度和構(gòu)成多個(gè)上述第2直通FET組的上述第2場(chǎng)效應(yīng)晶體管的上述柵極寬度相等。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所記載的高頻半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)，其中，

上述第1直通FET組的上述第1場(chǎng)效應(yīng)晶體管、多個(gè)上述第2直通FET組的上述第2場(chǎng)效應(yīng)晶體管、及多個(gè)上述分流FET組的上述第3場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是在SOI上形成的完全耗盡型MOSFET，并且背柵被電浮置。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所記載的高頻半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)，其中，

上述第1直通FET組的上述第1場(chǎng)效應(yīng)晶體管、多個(gè)上述第2直通FET組的上述第2場(chǎng)效應(yīng)晶體管、及多個(gè)上述分流FET組的上述第3場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是在SOI上形成的完全耗盡型MOSFET，并且通過(guò)對(duì)上述各場(chǎng)效應(yīng)晶體管的背柵施加電壓而被電控制。

6.一種無(wú)線設(shè)備，其特征在于，具備：

多個(gè)開(kāi)關(guān)，該多個(gè)開(kāi)關(guān)的構(gòu)成與上述權(quán)利要求1所記載的高頻半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)實(shí)質(zhì)上相同；

天線，與上述多個(gè)開(kāi)關(guān)的多個(gè)第1端子連接，放射或接收電波；

發(fā)送電路，與上述多個(gè)開(kāi)關(guān)的一個(gè)第2端子連接，經(jīng)由上述天線發(fā)送信號(hào)；

接收電路，與上述多個(gè)開(kāi)關(guān)的另一個(gè)第2端子連接，對(duì)經(jīng)由上述天線接收到的信號(hào)進(jìn)行解調(diào)；以及

無(wú)線控制電路，向上述多個(gè)開(kāi)關(guān)輸出開(kāi)關(guān)控制信號(hào)，該開(kāi)關(guān)控制信號(hào)將上述天線與上述發(fā)送電路或上述接收電路切換地連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所記載的無(wú)線設(shè)備，其中，

上述發(fā)送電路及上述接收電路被一體化為收發(fā)電路。