[發(fā)明專利]一種摻釹的釔鋁石榴石與純釔鋁石榴石晶體鍵合生長(zhǎng)方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310351259.6
• 申請(qǐng)日: 2013-08-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103436952A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-12-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 萬(wàn)文;萬(wàn)黎明
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 安徽環(huán)巢光電科技有限公司
• 主分類號(hào): C30B15/04
• 分類號(hào): C30B15/04;C30B15/20;C30B28/10;C30B29/28
• 代理公司: 安徽匯樸律師事務(wù)所 34116
• 代理人: 胡敏

1.一種摻釹的釔鋁石榴石與純釔鋁石榴石晶體鍵合生長(zhǎng)方法，其特征在于，包括如下步驟：

1）按照坩堝容積大小進(jìn)行釔鋁石榴石YAG備料，計(jì)算出YAG重量；然后根據(jù)化學(xué)式Nd_3xY_3-3xAl₅O₁₂計(jì)算出摻雜Nd的添加重量，由于Nd₂O₃粉末容易散落，因此將Nd₂O₃粉末放在銥金坩堝內(nèi)惰性氣體保護(hù)，熔化提拉成多晶體，切割成條狀作為添加料備用；

2)在單晶爐對(duì)應(yīng)熱偶的外部一側(cè)加裝線輪，在單晶爐爐膛上方加裝滑輪，滑輪水平方向距離提拉桿3-5mm，線輪上繞有白金絲，白金絲前端穿過(guò)滑輪并吊有陶瓷重錘，陶瓷重錘下端用銥金絲固定住添加料，裝添加料時(shí)要保溫；

3）做好界面生長(zhǎng)晶體溫場(chǎng)，往晶體爐的坩堝內(nèi)投放YAG原料，做好上保溫，調(diào)試好添加料的位置以使其隨后能順利加入干鍋內(nèi)，各項(xiàng)檢察無(wú)誤，關(guān)閉爐門，完成裝爐；

4）抽真空，然后充入高純氬氣進(jìn)行保護(hù)；

5）下籽晶，等徑提拉生長(zhǎng)，YAG晶體生長(zhǎng)等徑長(zhǎng)度完成，停止提拉；

6）升溫，預(yù)熱添加料，當(dāng)條狀多晶體有回熔狀態(tài)時(shí)，通過(guò)控制線輪緩慢向下放入添加料；

7）坩堝內(nèi)液面回升，以與之前提拉相同速度提拉晶體，晶體不能離開(kāi)液面，晶體周圍發(fā)暗，要繼續(xù)升溫，控制好溫度和投料速度比，保證晶體質(zhì)量；

8）投料結(jié)束，恒溫1-2小時(shí)，調(diào)整好生長(zhǎng)溫度，繼續(xù)生長(zhǎng)，直至緩慢降溫完成晶體生長(zhǎng)。

2.如權(quán)利要求1所述的一種摻釹的釔鋁石榴石與純釔鋁石榴石晶體鍵合生長(zhǎng)方法，其特征在于，所述步驟7）中投料時(shí)間為2小時(shí)，每小時(shí)升溫150℃。

3.如權(quán)利要求1或2所述的一種摻釹的釔鋁石榴石與純釔鋁石榴石晶體鍵合生長(zhǎng)方法，其特征在于，所述滑輪為直徑1-2mm的不銹鋼滑輪。