[發明專利]半導體器件以及制作該半導體器件的方法

有效

• 申請號: 201310350697.0
• 申請日: 2013-08-13
• 公開（公告）號: CN103594516B
• 公開（公告）日: 2017-04-12
• 發明（設計）人: A.比爾納;H.布雷希
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/24;H01L21/265
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 馬麗娜,劉春元

1.一種功率晶體管器件，包括：

半導體本體；

第一導電類型的源區，其被設置在半導體本體中；

第一導電類型的漏區，其被設置在半導體本體中并且與所述源區隔開；

第一導電類型的漂移區，其被設置在所述源區和漏區之間鄰近漏區的半導體本體中；

第二導電類型的溝道區，其被設置在所述漂移區和源區之間鄰近漂移區的半導體本體中；

摻雜劑阻滯區，其被設置在所述漂移區和所述溝道區之間的半導體本體中，所述摻雜劑阻滯區被摻雜有從由碳、氮和氟構成的組中選擇的材料；和

柵極，其至少部分地覆在所述溝道區上并且與其絕緣。

2.權利要求1的功率晶體管器件，進一步包括：

在半導體本體中的沉區，使得所述沉區通過源區與所述溝道區隔開；以及

屏蔽，其覆在所述柵極的至少一部分和所述漂移區的至少一部分上，但與所述柵極的所述至少一部分和所述漂移區的所述至少一部分電絕緣。

3.權利要求1的功率晶體管，其中所述摻雜劑阻滯區被摻雜有碳。

4.權利要求1的功率晶體管，其中所述摻雜劑阻滯區被摻雜有氟。

5.權利要求1的功率晶體管，其中所述摻雜劑阻滯區被摻雜有氮。

6.權利要求1的功率晶體管，其中源區和漏區被摻雜有砷或者磷，其中所述溝道區被摻雜有硼，并且其中所述半導體本體包括單晶硅。

7.權利要求1的功率晶體管，其中摻雜劑阻滯區具有在大約1×10¹⁸cm^-3和大約1×10²¹cm^-3之間的摻雜劑濃度。

8.權利要求1的功率晶體管，其中功率晶體管器件包括橫向擴散金屬氧化物半導體（LDMOS）器件。

9.一種制作功率晶體管器件的方法，所述方法包括：

在半導體本體中形成第一導電類型的源區；

在半導體本體中形成與所述源區隔開的第一導電類型的漏區；

在半導體本體中形成在源區和漏區之間鄰近所述漏區的第一導電類型的漂移區；

在半導體本體中形成在漂移區和源區之間鄰近所述漂移區的第二導電類型的溝道區；

在漂移區和溝道區之間的半導體本體中形成摻雜劑阻滯區，所述摻雜劑阻滯區被摻雜有從由碳、氮和氟構成的組中選擇的材料；以及

形成至少部分地覆在所述溝道區上并且與其絕緣的柵極。

10.一種制作半導體器件的方法，所述方法包括：

在半導體本體上形成柵極電極，所述柵極電極與所述半導體本體絕緣；

在半導體本體中形成漂移區，所述漂移區包括第一導電類型的摻雜劑；

至少鄰近所述漂移區的邊緣形成摻雜劑阻滯區；

將第二導電類型的摻雜劑注入到所述半導體本體中；

將所述半導體本體退火以形成在柵極電極的至少一部分下面延伸的體區，所述退火使得所述第二導電類型的摻雜劑以第一擴散速率被驅進所述半導體本體中，其中所述摻雜劑阻滯區阻止所述摻雜劑以第一擴散速率擴散到所述漂移區中；以及

在半導體本體中形成源區和漏區，所述源區通過所述體區與所述漂移區隔開并且所述漏區通過所述漂移區與所述體區隔開。

11.權利要求10的方法，進一步包括：

在半導體本體中形成沉區，使得所述沉區通過所述源區與所述體區的溝道部分隔開；以及

形成覆在所述柵極的至少一部分和漂移區的至少一部分上、但是與它們電絕緣的屏蔽。

12.權利要求10的方法，其中所述漂移區由通過掩模注入摻雜劑形成，所述掩模暴露柵極電極的第一邊緣附近的區域，并且其中所述摻雜劑阻滯區由通過所述掩模注入摻雜劑阻滯材料形成。

13.權利要求12的方法，其中第二導電類型的摻雜劑被注入半導體本體的在柵極電極的第二邊緣附近的區域，并且其中將半導體本體退火使得所述摻雜劑在所述柵極電極下面擴散直到所述漂移區。