[發(fā)明專利]多芯片組件功率夾片在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310350564.3 | 申請日： | 2013-08-13 |
| 公開（公告）號： | CN103681572A | 公開（公告）日： | 2014-03-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 吳春林;史蒂文·薩普;B·多斯多斯;S·貝拉尼;尹成根 | 申請（專利權(quán)）人： | 快捷半導(dǎo)體（蘇州）有限公司;快捷半導(dǎo)體公司 |
| 主分類號： | H01L23/495 | 分類號： | H01L23/495;H01L25/16 |
| 代理公司： | 北京派特恩知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11270 | 代理人： | 武晨燕;張穎玲 |
| 地址： | 215021 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 芯片 組件 功率 | ||
1.一種多芯片無引線組件，包括：
具有多個電極的集成電路；
具有第一和第二源極、第一和第二柵極和公共漏極的雙溝道MOSFET；
具有多個引線的引線框架，每個引線在所述組件的外底表面上有暴露的接觸表面，每個引線用于將電功率傳送入所述集成電路和所述雙溝道MOSFET，或用于將電信號傳送入或傳送出所述集成電路和所述雙溝道MOSFET；
密封絕緣樹脂，其將所述引線框架、所述集成電路和所述雙溝道MOSFET嵌入到組件中，并在所述組件的所述外底表面上限定出所述引線的暴露的接觸表面；
其中，第一引線被連接到所述集成電路的第一電極和一個雙溝道MOSFET的柵極，第二引線被連接到所述集成電路的第二電極和另一個雙溝道MOSFET的柵極，第三引線被連接到所述集成電路的第三電極和所述雙溝道MOSFET之一的源極，第四引線被連接到所述集成電路的第四電極和另一個雙溝道MOSFET的源極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多芯片無引線組件，其中，一個或多個其它引線被分別連接到所述集成電路的相應(yīng)的一個或多個其它電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多芯片無引線組件，其中，所述引線框架具有一個或多個半蝕刻的焊墊，每個焊墊用于接納以倒裝法安裝的MOSFET。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多芯片無引線組件，其中，所述集成電路包括一個或多個凸起表面，所述凸起表面用于附著于所述引線框架的引線。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多芯片無引線組件，其中，所述引線框架包括第二源極焊墊，所述第二源極焊墊具有兩個外部引線和向所述集成電路的第二電極延伸的內(nèi)部手指。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多芯片無引線組件，其中，所述集成電路具有用于Vdd、Vm和TEST的電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多芯片無引線組件，其中，所述引線框架是半蝕刻的。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多芯片無引線組件，進一步包括夾片，所述夾片附著于所述雙溝道MOSFET的漏極。
9.一種用于制造多芯片無引線組件的方法，包括：
提供具有多個電極的集成電路；
提供具有第一和第二源極、第一和第二柵極和公共漏極的雙溝道MOSFET；
提供具有多個引線的引線框架，每個引線在所述組件的外底表面有暴露的接觸表面，每個引線用于將電功率傳送入所述集成電路和所述雙溝道MOSFET，或用于將電信號傳送入或傳送出所述集成電路和所述雙溝道MOSFET；
通過連接到所述集成電路的第一電極和一個雙溝道MOSFET的柵極，通過將第二引線連接到所述集成電路的第二電極和另一個雙溝道MOSFET的柵極，通過將第三引線連接到所述集成電路的第三電極和所述雙溝道MOSFET之一的源極，且通過連接到所述集成電路的第四引線和另一個雙溝道MOSFET的源極，來將所述集成電路和雙溝道MOSFET裝配到所述引線框架上；以及
將所述引線框架和所述器件密封到絕緣樹脂中，其中樹脂在所述組件的所述外底表面上暴露出所述引線的接觸表面。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的用于制造多芯片無引線組件的方法，進一步包括：將一個或多個其它引線連接到所述集成電路的相應(yīng)的一個或多個其它電極。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的用于制造多芯片無引線組件的方法，其中，所述集成電路和所述雙溝道MOSFET具有將所述集成電路和所述雙溝道MOSFET連接到所述引線的柱或凸塊。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的用于制造多芯片無引線組件的方法，進一步包括以下步驟：半蝕刻一個或多個焊墊，并以倒裝法將MOSFET安裝在每個經(jīng)半蝕刻的焊墊上。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的用于制造多芯片無引線組件的方法，其中，所述引線框架包括第二源極焊墊，所述第二源極焊墊具有兩個外部引線和向所述集成電路的第二電極延伸的內(nèi)部手指。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的用于制造多芯片無引線組件的方法，進一步包括以下步驟：在將所述集成電路和所述雙溝道MOSFET裝配到所述引線框架上之前，半蝕刻所述引線框架。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的用于制造多芯片無引線組件的方法，進一步包括以下步驟：將夾片附著于所述雙溝道MOSFET的所述漏極。
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