[發明專利]覆晶式LED芯片

在審

• 申請號: 201310350075.8
• 申請日: 2013-08-12
• 公開（公告）號: CN103904184A
• 公開（公告）日: 2014-07-02
• 發明（設計）人: 吳裕朝;吳冠偉;劉艷
• 申請（專利權）人: 東莞市正光光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L33/46;H01L33/62
• 代理公司: 北京格羅巴爾知識產權代理事務所(普通合伙) 11406
• 代理人: 方志煒

1.一種覆晶式LED芯片，其特征在于，包括：

基板；以及

沿水平方向依次設置在所述基板的正面上的正電極、負電極、和隔離區，

其中，所述水平方向為與所述基板的正面平行的方向，

所述隔離區在所述基板的正面上的垂直投影位于所述正電極和負電極在所述基板的正面上的垂直投影之間，

所述隔離區在所述水平方向上的中心線與所述覆晶式LED芯片在所述水平方向上的中軸線重疊，且

所述隔離區在所述水平方向上的寬度不超過所述覆晶式LED芯片在所述水平方向上的寬度的三分之一。

2.根據權利要求1所述的覆晶式LED芯片，其特征在于，還包括：

第一導電型半導體層，位于所述基板的正面；

發光層，位于所述第一導電型半導體層的正面；

第二導電型半導體層，位于所述發光層的正面；

正電極層，位于所述第二導電型半導體層的正面；以及

隔離層，至少位于所述正電極層的正面，且裸露出部分所述正電極層，

其中，所述正電極層裸露出的部分為所述正電極；

所述負電極位于所述隔離層的正面，且裸露出部分所述隔離層，所述隔離層裸露出的部分為所述隔離區，

所述負電極通過貫穿所述隔離層、正電極層、第二導電型半導體層以及發光層的通孔與所述第一導電型半導體層電性接觸。

3.根據權利要求2所述的覆晶式LED芯片，其特征在于，所述隔離層還位于所述覆晶式LED芯片的側面。

4.根據權利要求2所述的覆晶式LED芯片，其特征在于，所述隔離層為SiO₂或DBR或光子晶體結構或SiN_x或AlN。

5.根據權利要求2所述的覆晶式LED芯片，其特征在于，還包括：

保護層，位于所述負電極的正面和/或所述正電極層的至少所述正電極的正面。

6.根據權利要求5所述的覆晶式LED芯片，其特征在于，所述保護層為鈦、鎳、鉻、金材料中的一種或幾種的混合制成。

7.根據權利要求5所述的覆晶式LED芯片，其特征在于，所述保護層的厚度為

8.根據權利要求1至7中任一項所述的覆晶式LED芯片，其特征在于，所述隔離區在所述水平方向上的寬度為0.11mm～0.5mm。

9.根據權利要求8所述的覆晶式LED芯片，其特征在于，所述正電極和所述負電極在所述水平方向上的寬度大于0.11mm。