[發明專利]一種超高密度熱輔助磁記錄用FeRh/FePt雙層薄膜及其制備方法

無效

• 申請號: 201310349750.5
• 申請日: 2013-08-13
• 公開（公告）號: CN103440875A
• 公開（公告）日: 2013-12-11
• 發明（設計）人: 陸偉;黃平
• 申請（專利權）人: 同濟大學
• 主分類號: G11B5/84
• 分類號: G11B5/84;G11B5/851
• 代理公司: 上海正旦專利代理有限公司 31200
• 代理人: 張磊

1.一種超高密度熱輔助磁記錄用FeRh/FePt雙層薄膜，所述薄膜第一層為鐵磁性高各項異性L1₀有序結構的FePt合金薄膜，第二層為具有B2有序結構的FeRh合金薄膜；兩層薄膜之間通過交換耦合相互作用在一起，FeRh合金薄膜中Fe、Rh原子比為1：1，FeRh薄膜厚度為10nm~50nm；FePt合金薄膜中Fe、Pt原子比為1：1，FePt薄膜厚度為10nm~50nm。

2.一種如權利要求1所述的超高密度熱輔助磁記錄用FeRh/FePt雙層薄膜的制備方法，其特征在于具體步驟如下：

(1)利用磁控濺射技術在單晶MgO（001）基板上沉積FeRh合金薄膜，控制Fe、Rh原子比為1：1，FeRh薄膜厚度為10nm~50nm；濺射采用Fe₅₀Rh₅₀合金靶材，濺射時控制單晶MgO（001）基板溫度為300~500℃，濺射腔的背底真空度為0.7×10^-5~5×10^-5Pa，濺射時氬氣氣壓為1~20Pa；濺射過程中，單晶MgO（001）基板以5轉/分鐘~30轉/分鐘的速率旋轉；

(2)濺射結束后，將單晶MgO（001）基板原位退火，退火溫度為400~700℃，退火時間為0.5~2小時；

(3)退火結束后，利用磁控濺射技術繼續在沉積有FeRh薄膜的單晶MgO（001）基板上沉積FePt合金薄膜，控制Fe、Pt原子比為1：1，FePt薄膜厚度為10nm~50nm；濺射采用Fe₅₀Pt₅₀合金靶材，其在濺射時基板溫度為450~500℃；濺射腔的背底真空度為0.7×10^-5~5×10^-5Pa，濺射時氬氣氣壓為1~20Pa；濺射過程中，基板以5轉/分鐘~30轉/分鐘的速率旋轉。