[發明專利]深溝槽中感應材料的成膜方法有效
| 申請號： | 201310349622.0 | 申請日： | 2013-08-12 |
| 公開（公告）號： | CN104370266A | 公開（公告）日： | 2015-02-25 |
| 發明（設計）人： | 孟鴻林;郭曉波;王雷 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00;H01L21/02;G03F7/00;G03F7/16 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁紀鐵 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 深溝 感應 材料 方法 | ||
【權利要求書】：
1.深溝槽中感應材料的成膜方法，其特征在于，在硅片上涂布需要成膜的感應材料后，刻蝕形成感應材料的最終圖案前，包括有以下步驟：
1）在感應材料上涂布一層吸收頻譜為193～635nm、閾值能量為5mj以上的第一光刻膠；
2）烘烤后，涂布光刻膠溶劑，溶解并去除硅片表面的第一光刻膠，保留深溝槽內的第一光刻膠；
3）涂布一層吸收頻譜與第一光刻膠不同的第二光刻膠；
4）曝光并顯影，使硅片表面以及溝槽底部和側面的光刻膠形成所需要的圖形。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一光刻膠為負性光刻膠，吸收頻譜范圍為248～365nm。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟2），烘烤溫度為105℃，烘烤時間為90秒。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述光刻膠溶劑包括異丙酮。
5.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二光刻膠為負性光刻膠，吸收頻譜為248nm，閾值能量為5mj，透光系數為85%以上。
6.根據權利要求1-5任何一項所述的方法，其特征在于，采用旋涂的方法涂布第一光刻膠、光刻膠溶劑和第二光刻膠。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海華虹宏力半導體制造有限公司，未經上海華虹宏力半導體制造有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310349622.0/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：疏水和/或疏油組件及其制作方法、顯示裝置
- 下一篇：一種IPA循環系統
