[發(fā)明專利]反應(yīng)腔室及外延生長設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310349288.9 | 申請日: | 2013-08-12 |
| 公開(公告)號: | CN104372310B | 公開(公告)日: | 2017-06-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 涂冶 | 申請(專利權(quán))人: | 北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司 |
| 主分類號: | C23C16/46 | 分類號: | C23C16/46 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11112 | 代理人: | 彭瑞欣,張?zhí)焓?/td> |
| 地址: | 100176 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 反應(yīng) 外延 生長 設(shè)備 | ||
1.一種反應(yīng)腔室,包括多個托盤、交變電源和感應(yīng)線圈,所述多個托盤采用磁導(dǎo)體材料制作,且沿豎直方向間隔設(shè)置在所述反應(yīng)腔室內(nèi);所述交變電源用于向所述感應(yīng)線圈通入交變電流;其特征在于,所述感應(yīng)線圈包括第一感應(yīng)線圈和第二感應(yīng)線圈,所述第一感應(yīng)線圈纏繞于所述反應(yīng)腔室的側(cè)壁外側(cè);所述第二感應(yīng)線圈纏繞于所述反應(yīng)腔室內(nèi),且沿豎直方向貫穿所述多個托盤;并且
所述第一感應(yīng)線圈的纏繞方向與所述第二感應(yīng)線圈的纏繞方向相同,且所述交變電源分別向二者通入相位相差180°的交變電流;或者,所述第一感應(yīng)線圈的纏繞方向與所述第二感應(yīng)線圈的纏繞方向相反,且所述交變電源分別向二者通入相位相同的交變電流,以使分別由二者產(chǎn)生的交變磁場在托盤處的方向保持一致;
所述第二感應(yīng)線圈包括多個單匝線圈和連接部,其中
所述多個單匝線圈沿豎直方向間隔設(shè)置,且每個單匝線圈所在平面平行于水平面,并且每個單匝線圈包括彼此水平間隔的左連接端和右連接端,且每個單匝線圈的左連接端或右連接端的位置與相鄰且位于其上方的單匝線圈的右連接端或左連接端的位置相對應(yīng);
所述連接部分別位于相鄰兩個單匝線圈的位置相對應(yīng)的左連接端和右連接端之間,且分別與二者電連接,以使所述第二感應(yīng)線圈形成由所有的所述單匝線圈串接而成的纏繞結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反應(yīng)腔室,其特征在于,所述反應(yīng)腔室還包括進氣管,所述進氣管沿豎直方向穿過所述第二感應(yīng)線圈,并且在所述進氣管的側(cè)壁上,且位于相鄰兩個托盤之間的同一水平面內(nèi)間隔設(shè)置有多個進氣口,并且所述多個進氣口所在平面與所述單匝線圈所在平面交錯設(shè)置;
所述進氣口用于向所述反應(yīng)腔室的四周噴出工藝氣體。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的反應(yīng)腔室,其特征在于,在所述進氣管的側(cè)壁上,且與每個相鄰兩個托盤之間的各個所述進氣口相對應(yīng)的位置處設(shè)置有噴嘴,
所述噴嘴的一端和與之相對應(yīng)的所述進氣口連通,所述噴嘴的另一端沿水平方向穿過所述第二感應(yīng)線圈,并延伸至位于所述進氣口下方且相鄰的托盤的內(nèi)側(cè)邊緣的上方。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的反應(yīng)腔室,其特征在于,所述反應(yīng)腔室還包括電磁屏蔽件,所述電磁屏蔽件設(shè)置在所述進氣管與第二感應(yīng)線圈之間,用以屏蔽由所述第二感應(yīng)線圈產(chǎn)生的磁場對所述進氣管的干擾;并且
在所述電磁屏蔽件的側(cè)壁上設(shè)置有多個排氣孔,所述多個排氣孔的位置分別與位于各個相鄰兩個托盤之間的所述進氣口相對應(yīng)。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的反應(yīng)腔室,其特征在于,每個相鄰兩個托盤之間的多個進氣口沿所述進氣管的周向均勻分布。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的反應(yīng)腔室,其特征在于,所述進氣管和噴嘴的材料包括石英。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反應(yīng)腔室,其特征在于,所述第一感應(yīng)線圈呈螺旋狀纏繞于所述反應(yīng)腔室的側(cè)壁外側(cè)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反應(yīng)腔室,其特征在于,每個單匝線圈的直徑等于或小于所述托盤上表面的半徑。
9.一種外延生長設(shè)備,包括反應(yīng)腔室,其特征在于,所述反應(yīng)腔室采用如權(quán)利要求1-8任意一項所述的反應(yīng)腔室。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
- 傳感設(shè)備、檢索設(shè)備和中繼設(shè)備
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