[發(fā)明專利]具有帶負(fù)電荷淺溝槽隔離(STI)襯里的像素及其形成方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310348812.0
• 申請日: 2013-08-12
• 公開（公告）號: CN103681709A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 錢胤;戴幸志;陳剛;毛杜立;文森特·韋內(nèi)齊亞;霍華德·E·羅茲
• 申請（專利權(quán)）人: 全視科技有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L21/82
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 齊楊

1.一種像素，其包括：

襯底，其具有前表面；

光敏區(qū)，其形成于所述襯底的所述前表面中或附近；

隔離溝槽，其鄰近于所述光敏區(qū)而形成于所述襯底的所述前表面中，所述隔離溝槽包括：

溝槽，其形成于所述襯底的所述前表面中，所述溝槽包含底部及側(cè)壁；

鈍化層，其形成于所述底部及側(cè)壁上；

填充物，其用以填充所述溝槽的未由所述鈍化層填充的部分。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素，其中所述鈍化層為具有固定負(fù)電荷的電介質(zhì)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的像素，其中具有固定負(fù)電荷的所述電介質(zhì)為氧化鋁(Al2O3)、氧化鉿(HfO2)、氧化鉭(TaO)或其某一組合。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素，其中所述鈍化層為經(jīng)預(yù)應(yīng)力的鈍化層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的像素，其中所述鈍化層經(jīng)預(yù)應(yīng)力而處于拉伸狀態(tài)。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的像素，其中所述經(jīng)預(yù)應(yīng)力的鈍化層為具有固定負(fù)電荷的電介質(zhì)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素，其中所述鈍化層具有在實(shí)質(zhì)上1納米與10納米之間的厚度。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素，其進(jìn)一步包括形成于所述鈍化層與所述溝槽的所述側(cè)壁及底部之間的薄氧化物層。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素，其中所述溝槽的所述側(cè)壁實(shí)質(zhì)上垂直于所述溝槽的所述底部。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的像素，其中所述溝槽具有高的深寬比。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素，其中氧化物層形成于所述填充物與所述鈍化層之間。

12.一種方法，其包括：

在襯底的前表面中形成溝槽，所述溝槽包含側(cè)壁及底部；

在所述溝槽的所述側(cè)壁上及在所述溝槽的所述底部上形成鈍化層；

填充所述溝槽的未由所述鈍化層填充的部分。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中通過原子層沉積ALD來形成所述鈍化層。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述鈍化層為具有固定負(fù)電荷的電介質(zhì)。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中具有固定負(fù)電荷的所述電介質(zhì)為氧化鋁(Al2O3)、氧化鉿(HfO2)、氧化鉭(TaO)或其某一組合。

16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其進(jìn)一步包括對所述鈍化層施加預(yù)應(yīng)力。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中對所述鈍化層施加預(yù)應(yīng)力包括對所述鈍化層施加預(yù)應(yīng)力使其處于拉伸狀態(tài)。

18.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其進(jìn)一步包括在所述鈍化層與所述溝槽的所述側(cè)及底部之間形成薄氧化物層。

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中通過大氣氧化自然地形成所述薄氧化物層。

20.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其進(jìn)一步包括在所述襯底的所述前表面上或附近鄰近于隔離溝槽形成光敏區(qū)。

21.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中在填充物與所述鈍化層之間形成氧化物層。