[發(fā)明專利]CMOS TDI圖像傳感器及其電荷轉移控制方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310348765.X
• 申請日: 2013-08-12
• 公開（公告）號: CN103402061A
• 公開（公告）日: 2013-11-20
• 發(fā)明（設計）人: 阿德里·米爾普;李揚;馬成;王欣洋
• 申請（專利權）人: 長春長光辰芯光電技術有限公司
• 主分類號: H04N5/359
• 分類號: H04N5/359;H04N5/374
• 代理公司: 長春吉大專利代理有限責任公司 22201
• 代理人: 王淑秋

1.一種CMOS?TDI圖像傳感器，其特征在于包括基板（11），制作于基板（11）上的N列半導體帶（13），制作于基板（11）上并將各列半導體帶（13）隔離的絕緣隔離帶（14）；M行多晶硅柵極（15），時序產生電路（12），讀出電路（17）；所述M行多晶硅柵極（15）制作于半導體帶（13）和隔離帶（14）上，且多晶硅柵極（15）與半導體帶（13）之間由絕緣介質（16）隔離；每個多晶硅柵極（15）與半導體帶（13）交疊的部分及兩者中間的絕緣介質（16）構成一個電荷收集單元（18），每列半導體帶（13）整體構成一個電荷轉移通道；M行多晶硅柵極（15）分別與時序產生電路（12）連接，N列半導體帶（13）與讀出電路（17）連接。?

2.根據權利要求1所述的CMOS?TDI圖像傳感器，其特征在于還包括開關網絡，所述開關網絡由連接于各列半導體帶（13）輸出之間的開關構成。?

3.一種如權利要求2所述CMOS?TDI圖像傳感器的電荷轉移控制方法，其特征在于：?

通過外部寄存器控制靜態(tài)電路選擇開關網絡的第n×p個開關斷開，其余開關閉合，此時第n×p～（n-1）×p列由半導體帶(13）構成的電荷轉移通道合并；通過時序產生電路(12）控制各行多晶硅柵極(15）電壓高低電平的變化，可調整電荷收集單元(18）的合并數量，使得每隔一個相等的時間間隔，電荷收集區(qū)域的面積從nxm變?yōu)閚xi或從nxi變?yōu)閚xm；每隔兩個相等的時間間隔，電荷收集區(qū)域沿電荷移動方向移動m-i行；其中n為水平電荷收集單元(18）的合并個數，m、i為垂直電荷收集單元(18）的合并個數，n、m、i、p為自然數，n×p小于等于N，i小于m，且m小于M；各電荷收集單元(18）每次曝光產生并收集的電荷通過各電荷轉移通道累加轉移，最后經讀出電路(17）疊加和處理后輸出。?

4.根據權利要求3所述的CMOS?TDI圖像傳感器的電荷轉移控制方法，其?特征在于n=3,m=2。?

5.根據權利要求3所述的CMOS?TDI圖像傳感器的電荷轉移控制方法，其特征在于n=4,m=3，i=1或i=2。?