[發明專利]一種太陽電池表面柵線設計有效
申請號: | 201310348517.5 | 申請日: | 2013-08-12 |
公開(公告)號: | CN103400871A | 公開(公告)日: | 2013-11-20 |
發明(設計)人: | 黃忠;帥麒;羅敏;黃饒 | 申請(專利權)人: | 四川鐘順太陽能開發有限公司 |
主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224 |
代理公司: | 成都九鼎天元知識產權代理有限公司 51214 | 代理人: | 劉凱 |
地址: | 610207 四川省成都市雙流*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索關鍵詞: | 一種 太陽電池 表面 設計 | ||
技術領域
本發明屬于太陽能利用技術領域,特別涉及一種太陽電池表面柵線設計。
背景技術
普通晶體硅太陽電池柵線電極制備的傳統工藝一般為采用絲網印刷的方法將銀漿印刷在電池的發射極形成特定圖形,再與背面的Al電極一起通過高溫燒結,最終形成正面和背面電極。在晶硅電池片的面積固定的情況下,太陽電池的柵線設計非常重要,它不僅影響了太陽電池的有效受光面積,還決定了電池的串聯電阻,從而影響了太陽電池發電效率。
目前一般將幾十張太陽電池通過單焊、串焊、疊層、層壓固化等工序制作成太陽電池組件,所有電池片表面的柵線設計基礎均是基于在保證電池片串聯電阻較小的情況下,盡量減少柵線的遮擋面積,從而提高整張電池片的發電功率。而目前的一些中低倍聚光光伏產品或其他光伏類的產品中需要運用條狀的太陽電池?;诔杀镜南鄬Φ土虼司Ч杼栯姵爻蔀榱耸走x。一般獲取條狀晶硅太陽電池的途徑是直接對普通晶體硅電池片進行切割來獲取,但由于普通晶硅電池片的柵線設計是基于整張電池片的功率和成本的最優化來進行設計的,其表面柵線設計是均勻分布,因此在切割成具有某一寬度,如切割成3mm的條狀電池時,所獲取的每條電池上的表面柵線數量和位置并不一致,例如有的具有一條細柵線,而有的具有兩條,并且在對電池片切割時也會對某些細柵線導致破壞,比如剛好切割到細柵線,這就導致所獲取的條狀太陽電池的柵線數量和布局均呈現一定的隨機性,從而影響電池的性能。另一方面,當條狀電池運用于中低倍聚光情況時,由于聚光后的光斑一般集中于電池的中間位置,且光斑具有不均勻性,因此若條狀電池的細柵線剛好隨機位于電池的中部,勢必會對該區域的光造成比較嚴重的遮擋效應,從而影響電池的效率,不同位置的細柵線的遮擋效果不同,導致電池的效率有所差異。此外柵線位于不同位置對光生電流的收集能力也有所差異,因此這些因素都導致采用用一般柵線設計的晶硅電池片在被切割成相同尺寸的條狀電池后,在實際使用時的性能差異較大,從而造成串聯或并聯情況下的性能失配,影響了中低倍聚光光伏或其他運用條狀電池的產品的性能。因此,現有普通晶硅電池片在經過切割并運用到中低倍聚光光伏產品中時,無法實現效率的最大化。
發明內容
本發明的目的在于:針對上述存在的問題,提供一種能保證切割后的所有條狀電池的電性能的匹配性,而且沒有柵線對入射光進行遮擋,從而提高光電轉化效率的太陽電池表面柵線設計。
本發明的技術方案是這樣實現的:一種太陽電池表面柵線設計,包括設置在太陽電池上且等間距分布的若干環形細柵線以及與所述環形細柵線垂直布置的至少兩條主柵線,其特征在于:所述相鄰兩個環形細柵線之間的間距為0.1mm~2mm,每個環形細柵線的寬度為1mm~10mm。
本發明所述的太陽電池表面柵線設計,其所述主柵線在相鄰兩個環形細柵線之間的間隙處斷開,分為若干與環形細柵線匹配的獨立單元。
本發明所述的太陽電池表面柵線設計,其所述相鄰兩個環形細柵線之間的間隙為劃片位置,所述環形細柵線的寬度小于切割后條狀太陽電池的寬度,每一個環形細柵線對應一個條狀太陽電池,所述環形細柵線均勻地分布在與其對應的條狀太陽電池的邊緣部分。
本發明所述的太陽電池表面柵線設計,其所述太陽電池上靠近左右兩側邊緣的環形細柵線設計相同且對稱布置,其之間的環形細柵線設計相同且呈矩形。
本發明通過線聚光電池表面上柵線的設計,能使切割后分離得到的各個條狀電池單元的表面具有相同的分布,環形細柵線均勻地分布在條狀電池的邊緣,不僅保證了所有的條狀電池的電性能的匹配性,而且由于細柵線分布在電池邊緣,因此在中低倍的聚光光伏應用時,在條狀電池的中部區域受光強度較大時,也沒有柵線對入射光進行遮擋,因此提高了光電轉化的效率。
附圖說明
圖1是本發明中主柵線斷開的柵線設計。
圖2是圖1的局部放大圖。
圖3是本發明中主柵線連續的柵線設計。
圖中標記:1為環形細柵線,2為主柵線,3為太陽電池。
具體實施方式
下面結合附圖,對本發明作詳細的說明。
為了使本發明的目的、技術方案及優點更加清楚明白,以下結合附圖及實施例,對本發明進行進一步詳細說明。應當理解,此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發明,并不用于限定本發明。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的