[發明專利]薄膜晶體管結構

有效

• 申請號: 201310348279.8
• 申請日: 2013-08-09
• 公開（公告）號: CN103904128B
• 公開（公告）日: 2017-06-06
• 發明（設計）人: 徐振航;余宗瑋;陳蔚宗;辛哲宏
• 申請（專利權）人: 元太科技工業股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司11019
• 代理人: 壽寧,張華輝

1.一種薄膜晶體管結構，其特征在于其包括：

基板；

柵極，配置于該基板上；

氧化物半導體層，配置于該基板上，與該柵極在厚度方向上堆疊；

柵絕緣層，配置于該氧化物半導體層與該柵極之間；

源極，配置于該基板上并接觸該氧化物半導體層；

漏極，配置于該基板上并接觸該氧化物半導體層，該氧化物半導體層的一部分沒有被該源極與該漏極接觸而定義出通道區，且該通道區位于該源極與該漏極之間；

硅質吸光層，與該氧化物半導體層在該厚度方向上堆疊，且該氧化物半導體層位于該基板與該硅質吸光層之間，其中該硅質吸光層的能隙小于2.5eV；以及

絕緣層，配置于該氧化物半導體層與該硅質吸光層之間，且該絕緣層與該硅質吸光層彼此接觸，其中該絕緣層具有暴露出該漏極的接觸窗，且該硅質吸光層延伸至該接觸窗中以與該漏極接觸。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管結構，其特征在于其中該源極與該漏極位于該絕緣層與該柵絕緣層之間。

3.如權利要求2所述的薄膜晶體管結構，其特征在于其中該硅質吸光層的材質包括摻雜硅。

4.如權利要求1所述的薄膜晶體管結構，其特征在于其更包括保護層，該柵極、該氧化物半導體層、該柵絕緣層、該源極、該漏極、該絕緣層與該硅質吸光層都位于該基板與該保護層之間。

5.如權利要求3所述的薄膜晶體管結構，其特征在于其中該摻雜硅的摻質包括硼或磷。

6.如權利要求1所述的薄膜晶體管結構，其特征在于其中該絕緣層與該硅質吸光層具有相同的輪廓。

7.如權利要求1所述的薄膜晶體管結構，其特征在于其中該絕緣層更接觸于該氧化物半導體層。

8.如權利要求1所述的薄膜晶體管結構，其特征在于其中該源極與該漏極各自部分的位于該硅質吸光層的遠離于該基板的一側。

9.如權利要求1所述的薄膜晶體管結構，其特征在于其中該硅質吸光層的材質包括非晶硅、多晶硅、微晶硅或其組合。

10.如權利要求1所述的薄膜晶體管結構，其特征在于其中該硅質吸光層的材質更包括氫、氧、氮、氟、碳或其組合。

11.如權利要求1所述的薄膜晶體管結構，其特征在于其中該氧化物半導體層的材質包括氧化鋅、氧化銦鎵鋅、氧化鎵鋅、氧化鋅錫、氧化銦鋅或其組合。

12.如權利要求1所述的薄膜晶體管結構，其特征在于其中該源極與該漏極位于該氧化物半導體層與該柵絕緣層之間。