[發(fā)明專利]平面型絕緣柵雙極型晶體管及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310347729.1
• 申請(qǐng)日: 2013-08-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103413825A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-11-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉劍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海北車永電電子科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/739
• 分類號(hào): H01L29/739;H01L29/36;H01L21/331
• 代理公司: 上海一平知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31266
• 代理人: 成春榮;竺云

1.一種平面型絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，包括至少一個(gè)單元，每個(gè)該單元的正面具有至少三個(gè)角；

每個(gè)所述單元包括位于第一半導(dǎo)體類型襯底中的第二半導(dǎo)體類型阱、第一半導(dǎo)體類型摻雜區(qū)和第二半導(dǎo)體類型摻雜區(qū)；

所述第一半導(dǎo)體類型摻雜區(qū)和所述第二半導(dǎo)體類型摻雜區(qū)位于所述阱中，且該第一半導(dǎo)體類型摻雜區(qū)和該第二半導(dǎo)體類型摻雜區(qū)的摻雜濃度比該阱的濃度高；

每個(gè)所述單元中至少有一個(gè)所述角包含一個(gè)角區(qū)域，該角區(qū)域包含所述角的頂點(diǎn)，且該角區(qū)域與所述第二半導(dǎo)體類型摻雜區(qū)具有重疊區(qū)域；

所述第一半導(dǎo)體類型摻雜區(qū)不包含所述角區(qū)域。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平面型絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，還包括發(fā)射極、柵極和集電極。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平面型絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，所述角區(qū)域與發(fā)射極連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的平面型絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，所述單元的正面為長(zhǎng)方形。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的平面型絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，所述第一半導(dǎo)體類型為N型。

6.一種平面型絕緣柵雙極型晶體管的制造方法，其特征在于，所述平面型絕緣柵雙極型晶體管包括至少一個(gè)單元，每個(gè)該單元的正面具有至少三個(gè)角，每個(gè)該單元的制作方法包括以下步驟：

提供第一類型半導(dǎo)體襯底；

生成位于所述襯底中的第二半導(dǎo)體類型阱；

生成第一半導(dǎo)體類型摻雜區(qū)和第二半導(dǎo)體類型摻雜區(qū)，其中，

所述第一半導(dǎo)體類型摻雜區(qū)和所述第二半導(dǎo)體類型摻雜區(qū)位于所述阱中，該第一半導(dǎo)體類型摻雜區(qū)和該第二半導(dǎo)體類型摻雜區(qū)的摻雜濃度比該阱的濃度高，并且

每個(gè)所述單元中至少有一個(gè)所述角包含一個(gè)角區(qū)域，該角區(qū)域包含所述角的頂點(diǎn)，且該角區(qū)域與所述第二半導(dǎo)體類型摻雜區(qū)具有重疊區(qū)域，并且

所述第一半導(dǎo)體類型摻雜區(qū)不包含該角區(qū)域。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的平面型絕緣柵雙極型晶體管的制造方法，其特征在于，還包括以下步驟：

生成發(fā)射極、柵極和集電極。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的平面型絕緣柵雙極型晶體管的制造方法，其特征在于，所述生成第一半導(dǎo)體類型摻雜區(qū)、第二半導(dǎo)體類型摻雜區(qū)和發(fā)射極的步驟，還包括以下子步驟：

通過(guò)光罩圖形變化和光刻工藝，在所述角區(qū)域不進(jìn)行重?fù)诫s的第一半導(dǎo)體類型離子注入。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的平面型絕緣柵雙極型晶體管的制造方法，其特征在于，所述單元的正面為長(zhǎng)方形。

10.根據(jù)權(quán)利要求6至9中任一項(xiàng)所述的平面型絕緣柵雙極型晶體管的制造方法，其特征在于，所述第一半導(dǎo)體類型為N型。