[發(fā)明專利]多邊緣的圖案化

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310347541.7
• 申請日: 2011-09-26
• 公開（公告）號: CN103383912A
• 公開（公告）日: 2013-11-06
• 發(fā)明（設計）人: 謝銘峰;張雅惠;劉如淦;歐宗樺;謝艮軒;林本堅
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;G03F1/42
• 代理公司: 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種半導體器件，包括：

形成在半導體晶圓上的第一圖案，所述第一圖案沿第一方向延伸；

形成在所述晶圓上的第二圖案，所述第二圖案沿所述第一方向延伸并與所述第一圖案分離在垂直于所述第一方向的第二方向上測量的第一距離；以及

形成在所述晶圓上的第三圖案，所述第三圖案與所述第一圖案分離在所述第一方向上測量的第二距離，所述第三圖案與所述第二圖案分離在所述第一方向上測量的第三距離；

其中：

所述第一距離約等于所述第三距離；以及

所述第二距離小于兩倍的所述第一距離。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，其中每個所述第一距離和所述第三距離都約等于間隔厚度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，其中：

所述第一圖案和所述第二圖案通過間隔分離；

所述第二圖案和所述第三圖案通過間隔分離；以及

所述第一圖案和所述第三圖案通過合并在一起的兩個間隔分離。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，其中：

所述第一圖案具有在所述第二方向上測量的第一尺寸；

所述第二圖案具有在所述第二方向上測量的第二尺寸；

所述第三圖案具有在所述第一方向上測量的第三尺寸；以及

所述每個第一，第二和第三尺寸都約等于半導體制造技術(shù)產(chǎn)生的臨界尺寸。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，其中所述每個第一，第二和第三圖案都限定溝槽。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，其中：

所述第三圖案為假鍍圖案；以及

所述第一圖案和所述第二圖案為器件圖案。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，還包括：與所述第一圖案分離在所述第二方向上測量的第四距離的第四圖案；

其中：

所述第四距離小于兩倍的間隔厚度；以及

在所述第二方向上測量的所述第四圖案的尺寸基本上大于在所述第二方向上測量的所述第一圖案和所述第二圖案的尺寸。

8.一種方法，包括：

在晶圓上形成第一圖案，所述第一圖案沿第一方向延伸；

在所述晶圓上形成第二圖案，所述第二圖案沿所述第一方向延伸并與所述第一圖案分離在垂直于所述第一方向的第二方向上測量的第一距離；以及

在所述晶圓上形成第三圖案，所述第三圖案與所述第一圖案分離在所述第一方向上測量的第二距離，所述第三圖案與所述第二圖案分離在所述第一方向上測量的第三距離；

其中；

所述第一距離約等于所述第三距離；以及

所述第二距離小于兩倍的所述第一距離。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述第一圖案和所述第三圖案的形成都包括：

形成具有光刻膠材料的線圖案；

形成圍繞所述線圖案的間隔；以及

移除所述線圖案，從而限定第一溝槽為所述第一圖案且限定第二溝槽為所述第三圖案；

其中所述第一溝槽和所述第二溝槽的邊緣通過所述間隔限定。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法還包括：

形成與所述第一圖案相似并沿所述第一方向延伸的第四圖案；以及

形成與所述第三圖案相似并與所述第一圖案分離在所述第一方向上測量的所述第二距離的第五圖案；

其中：

所述第三圖案和所述第五圖案置于所述第一圖案的對面；以及

通過限定溝槽形成所述第二圖案，所述溝槽受束于形成在所述第一、第三、第四和第五圖案周圍的間隔。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述第一距離和所述第三距離都約等于間隔厚度。

12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，還包括：

形成與所述第一圖案分離在所述第二方向上測量的第四距離的第四圖案；

其中：

所述第四距離小于兩倍的間隔厚度；

在所述第二方向上測量的所述第四圖案的尺寸基本上大于在所述第二方向上測量的所述第一圖案和所述第二圖案的尺寸；以及

所述第三圖案為假鍍圖案。