[發明專利]形成圖案的方法

在審

• 申請號: 201310347129.5
• 申請日: 2013-08-09
• 公開（公告）號: CN104345576A
• 公開（公告）日: 2015-02-11
• 發明（設計）人: 童宇誠
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;H01L21/033
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

技術領域

本發明涉及一種半導體制作工藝，且特別是涉及一種形成圖案的方法。

背景技術

隨著半導體組件堆積密度的增加，制造組件關鍵尺寸（CD）的要求也愈來愈嚴苛。為能制作出小尺寸的組件，利用先進的光刻技術來進行圖案化是必然的趨勢。然而，如果所有的光刻制作工藝都通過先進的光刻技術來執行，不但必須耗費高額的購置新機臺的成本。

發明內容

本發明的目的在于提供一種形成圖案的方法，可以將較為低階的舊機臺再利用，結合先進光刻技術來形成所需的圖案。

本發明的再一目的在于提供一種形成圖案的方法，可以減少制造的成本。

為達上述目的，本發明提出一種形成圖案的方法。首先，提供N種不同的光掩模圖案。然后，以至少N-1種不同波長的光源，將所述N種不同的光掩模圖案轉移到硬掩模層上，形成硬掩模圖案，其中所述至少N-1種不同波長的光源之一為波長是193nm的光源，且N為大于等于3的整數。

依照本發明一實施例，上述至少N-1種不同波長的光源之另一為波長為436nm（G線）的光源、波長為365nm（I線）的光源、波長為248nm的光源或波長短于193nm的光源，N為大于等于3的整數。

依照本發明一實施例，上述硬掩模圖案具有至少N-1種不同線寬的圖案。

依照本發明一實施例，上述硬掩模圖案包括第一硬掩模圖案與第二硬掩模圖案，其中所述第一硬掩模圖案的尺寸小于所述第二硬掩模圖案的尺寸。

依照本發明一實施例，上述形成圖案的方法還包括在所述硬掩模層上形成一犧牲層，其中所述第一硬掩模圖案的形成方法包括：以第一光掩模以及第一光源在所述犧牲層上形成第一圖案化的掩模層，其中所述第一光源為波長是193nm的光源；進行第一蝕刻制作工藝，將第一圖案化的掩模層的圖案轉移到所述犧牲層，以形成至少一軸心圖案；在所述軸心圖案周圍形成一間隙壁回路；移除所述軸心圖案；以第二光掩模以及第二光源形成第二圖案化的掩模層，所述第二圖案化的掩模層具有開口，裸露出所述軸心圖案末端處的部分所述間隙壁回路；以所述第二圖案化的掩模層為掩模，進行第二蝕刻制作工藝，切斷所述間隙壁回路，以形成多數個間隙壁；以及，以所述間隙壁為掩模，對所述硬掩模層進行第三蝕刻制作工藝，以形成所述第一硬掩模圖案。

依照本發明一實施例，上述第二硬掩模圖案的形成方法包括：以第三光掩模與第三光源在所述硬掩模層上形成第三圖案化的掩模層；以及，以所述第三圖案化的掩模層為掩模，對所述硬掩模層進行所述第三蝕刻制作工藝，以形成所述第二硬掩模圖案。

依照本發明一實施例，形成所述第三圖案化的掩模層的步驟在所述第二蝕刻制作工藝之后進行。

依照本發明一實施例，形成所述第三圖案化的掩模層的步驟在形成所述第二圖案化的掩模層之前進行。

依照本發明一實施例，上述第二硬掩模圖案與第一硬掩模圖案相鄰且接觸。

依照本發明一實施例，上述硬掩模圖案還包括第三硬掩模圖案，所述第三硬掩模圖案與所述第一硬掩模圖案相隔一距離。

依照本發明一實施例，上述第二硬掩模圖案與所述第一硬掩模圖案相隔一距離。

依照本發明一實施例，上述形成圖案的方法還包括以所述硬掩模圖案為掩模，將所述硬掩模圖案下方的材料層圖案化。

本發明另提出一種形成圖案的方法。首先，將材料層的目標圖案拆分成多數個局部圖案。然后，以第一光源來形成所述局部圖案中關鍵尺寸最小的第一局部圖案之間的軸心圖案，并以至少一第二光源來形成所述局部圖案中的至少一第二局部圖案，其中所述的第一光源的波長小于所述第二光源的波長，所述第一光源與所述第二光源的其中之一為波長是193nm的光源。

依照本發明一實施例，所述第一光源與所述第二光源的其中之另一為波長為436nm（G線）的光源、波長為365nm（I線）的光源、波長為248nm的光源或波長短于193nm的光源。

本發明又提出一種形成圖案的方法。首先，將材料層的目標圖案拆分成多數個局部圖案。然后，以濕式193nm光源來形成所述局部圖案中關鍵尺寸最小的第一局部圖案之間的軸心圖案，并以至少一干式光源來形成所述局部圖案中的至少一第二局部圖案。

依照本發明一實施例，所述干式光源為干式193nm光源、干式435nm光源、干式365nm光源或干式248nm光源。

基于上述，本發明實施例的形成圖案的方法，可以將舊的機臺再利用，結合先進光刻技術來形成所需的圖案，減少制造的成本。