[發(fā)明專利]鈰摻雜三族釩硅酸鹽發(fā)光薄膜、制備方法及其應(yīng)用

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310346766.0
• 申請(qǐng)日: 2013-08-09
• 公開（公告）號(hào): CN104342137A
• 公開（公告）日: 2015-02-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周明杰;陳吉星;王平;張振華
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號(hào): C09K11/69
• 分類號(hào): C09K11/69;H01L33/50
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強(qiáng)

1.一種鈰摻雜三族釩硅酸鹽發(fā)光薄膜，其特征在于，所述鈰摻雜三族釩硅酸鹽發(fā)光薄膜的材料的化學(xué)式為Me₃VSi₃O₁₃:xCe³⁺，其中，0.01≤x≤0.05，Me為Al,Ga,In或Tl。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈰摻雜三族釩硅酸鹽發(fā)光薄膜，其特征在于，所述鈰摻雜三族釩硅酸鹽發(fā)光薄膜的厚度為80nm～300nm。

3.一種鈰摻雜三族釩硅酸鹽發(fā)光薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供襯底；

將所述襯底裝入化學(xué)氣相沉積設(shè)備的反應(yīng)室中，并將反應(yīng)室的真空度設(shè)置為1.0×10^-2Pa～1.0×10^-3Pa；

調(diào)節(jié)襯底的溫度為250℃～650℃，轉(zhuǎn)速為50轉(zhuǎn)/分鐘～1000轉(zhuǎn)/分鐘，采用氬氣氣流的載體，根據(jù)Me₃VSi₃O₁₃:xCe³⁺各元素的化學(xué)計(jì)量比將四甲基庚二酮堿土鹽、三乙氧基氧化釩、硅烷和四(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)鈰通入反應(yīng)室內(nèi)；及

通入氧氣，進(jìn)行化學(xué)氣相沉積得到化學(xué)式為Me₃VSi₃O₁₃:xCe³⁺的鈰摻雜三族釩硅酸鹽發(fā)光薄膜，其中，0.01≤x≤0.05，Me為Al,Ga,In或Tl。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的鈰摻雜三族釩硅酸鹽發(fā)光薄膜的制備方法，其特征在于，所述鈰摻雜三族釩硅酸鹽發(fā)光薄膜的厚度為80nm～300nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的鈰摻雜三族釩硅酸鹽發(fā)光薄膜的制備方法，其特征在于，所述氬氣氣流量為5～15sccm，所述氧氣氣流量為10～200sccm。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的鈰摻雜三族釩硅酸鹽發(fā)光薄膜的制備方法，其特征在于，將所述襯底裝入所述反應(yīng)室后，將所述襯底在700℃熱處理10分鐘～30分鐘。

7.一種薄膜電致發(fā)光器件，該薄膜電致發(fā)光器件包括依次層疊的襯底、陽(yáng)極層、發(fā)光層以及陰極層，其特征在于，所述發(fā)光層的材料為鈰摻雜三族釩硅酸鹽發(fā)光薄膜，該鈰摻雜三族釩硅酸鹽發(fā)光薄膜的化學(xué)式為Me₃VSi₃O₁₃:xCe³⁺，其中，0.01≤x≤0.05，Me為Al,Ga,In或Tl。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜電致發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光層的厚度為80nm～300nm。

9.一種薄膜電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供具有陽(yáng)極的襯底；將所述襯底裝入化學(xué)氣相沉積設(shè)備的反應(yīng)室，并將反應(yīng)室的真空度設(shè)置為1.0×10^-2Pa～1.0×10^-3Pa；

調(diào)節(jié)所述具有陽(yáng)極的襯底的溫度為250℃～650℃，轉(zhuǎn)速為50轉(zhuǎn)/分鐘～1000轉(zhuǎn)/分鐘，采用氬氣氣流作為載體，根據(jù)Me₃VSi₃O₁₃:xCe³⁺各元素的化學(xué)計(jì)量比將四甲基庚二酮堿土鹽、三乙氧基氧化釩、硅烷和四(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)鈰通入反應(yīng)室內(nèi)，其中，氬氣氣流量為5～15sccm；

然后通入氧氣，氧氣氣流量為10～200sccm；在所述陽(yáng)極上沉積薄膜得到發(fā)光層，所述發(fā)光層的薄膜為鈰摻雜三族釩硅酸鹽發(fā)光薄膜，該鈰摻雜三族釩硅酸鹽發(fā)光薄膜的化學(xué)式為Me₃VSi₃O₁₃:xCe³⁺，其中，0.01≤x≤0.05，Me為Al,Ga,In或Tl；

在所述發(fā)光層上制備陰極，得到所述薄膜電致發(fā)光器件。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的薄膜電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述發(fā)光層的厚度為80nm～300nm。