[發明專利]一種用于對TCO層進行激光刻蝕后的基板玻璃的清洗工藝

有效

• 申請號: 201310345840.7
• 申請日: 2013-08-09
• 公開（公告）號: CN104148349A
• 公開（公告）日: 2014-11-19
• 發明（設計）人: 李巖;李兆廷;朱華;郭婷婷
• 申請（專利權）人: 成都旭雙太陽能科技有限公司
• 主分類號: B08B11/04
• 分類號: B08B11/04;B08B7/04;B08B3/02;B08B1/02
• 代理公司: 石家莊眾志華清知識產權事務所(特殊普通合伙) 13123
• 代理人: 王苑祥

技術領域

本發明屬于薄膜太陽能電池制造技術領域，涉及薄膜太陽能電池生產過程中的清洗工藝，具體地說是基板玻璃上鍍射TCO膜層并對TCO膜層進行第一次激光刻蝕之后的TCO基板玻璃的清洗工藝。

背景技術

現有的非晶硅薄膜太陽能電池生產線上對TCO膜層進行第一次激光刻蝕之后的TCO基板玻璃清洗機都是沿用TFT生產線的清洗機，清洗工藝也是沿用TFT生產線的清洗工藝。薄膜太陽能電池在生產過程中，至少需要進行四次清洗，分別為：對磨邊倒角后的TCO基板玻璃的清洗、對TCO膜層第一次激光刻蝕后的清洗、疊片前即進行第四次P4激光刻蝕清邊之后的透明TCO基板玻璃的清洗、及對磨邊倒角后的背板玻璃的清洗，傳統做法是利用TFT生產線上的清洗工藝使用一臺清洗機完成四次清洗。而在薄膜太陽能電池生產過程中不同的工序后玻璃表面會殘留不同的雜質及殘留物，其清洗的工藝及方法必然各不相同。顯然這樣根本不能滿足清潔度的需求，不能根據雜質及殘留物的不同而有的放矢。利用TFT生產線上的清洗機對TCO膜層進行第一次激光刻蝕之后的TCO基板玻璃清洗不僅清潔度達不到要求，而且容易損壞TCO膜層，也會影響后續的鍍膜工藝，影響整個電池的發電效率。加之，TFT生產線上的清洗機工藝比較復雜，流程長，成本高，投資大，也使得非晶硅薄膜太陽能電池的制造成本大大增加。

發明內容

本發明為了解決傳統的清洗工藝不能滿足對TCO膜層進行第一次激光刻蝕之后的TCO基板玻璃的清洗需求的技術問題，設計了一種用于對TCO層進行激光刻蝕后的基板玻璃的清洗工藝，利用該清洗工藝能夠去除第一次激光刻蝕后基板玻璃表面及刻蝕槽中殘留的微粒、碎屑等雜質，能夠有效提高生產線后續工藝的鍍膜質量，對提高電池的效率起到至關重要的作用。

本發明采用的技術方案是：一種用于對TCO層進行激光刻蝕后的基板玻璃的清洗工藝，關鍵在于：本工藝是借助在TCO基板玻璃傳送輥上依次設置的預噴淋清洗腔室、清洗劑噴淋清洗腔室、再次噴淋清洗腔室、漂洗腔室及烘干腔室實現的，所述的工藝步驟中包括：

A、預噴淋清洗：將預噴淋清洗腔室控制在常溫狀態下，將去離子水作為清洗液、將在TCO基板玻璃傳送輥上、下方90-110mm處分別設置的一組噴嘴組件作為清洗工具進行預噴淋，其中，每組噴嘴組件中包括18-25個扇形噴嘴，每個噴嘴在0.12-0.16Mpa壓力下的流量為1-1.1?L/Min；

B、清洗劑噴淋清洗：將清洗劑噴淋清洗腔室控制在45℃±2℃溫度下，將在傳送輥上、下方90-110mm處分別設置的一組噴嘴組件作為清洗工具噴淋弱堿性清洗劑，其中，每組噴嘴組件中包括30-35個扇形噴嘴，每個噴嘴在0.12-0.16Mpa壓力下的流量為1-1.1?L/Min；

C、再次噴淋清洗：將再次噴淋清洗腔室控制在常溫狀態下，以去離子水作為清洗劑、將在傳送輥上方90-110mm處分別設置的一組噴嘴組件作為清洗工具進行再次噴淋清洗，其中，每組噴嘴組件中包括18-25個扇形噴嘴，每個噴嘴在2-3.5Mpa壓力下的流量為1.18-2.37?L/Min；

D、漂洗：在漂洗腔室中，將TCO基板玻璃上、下表面漂凈；

E、烘干：在烘干腔室中，將TCO基板玻璃上、下表面烘干，完成整個清洗工藝過程。

所述的再次噴淋清洗腔室之后、漂洗腔室之前還設置有輔助噴淋清洗腔室，在此基礎上，所述步驟C之后、步驟D之前還設有如下工序：

C1、輔助噴淋清洗：將輔助噴淋清洗控制在常溫狀態下，以去離子水作為清洗劑、將在傳送輥上、下方90-110mm處分別設置的一組噴嘴組件作為清洗工具進行噴淋清洗，其中，每組噴嘴組件中包括18-25個扇形噴嘴，每個噴嘴在0.3-0.4Mpa壓力下的流量為1-1.15?L/Min。

所述的漂洗腔室的數量為2個，依次設置于再次噴淋清洗腔室之后、烘干腔室之前，將漂洗腔室控制在常溫下，以去離子水作為漂洗劑、將經過再次噴淋工序后的TCO基板玻璃傳送輥上、下方90-110mm處分別設置的一組噴嘴組件作為清洗工具進行漂洗，其中，每組噴嘴組件中包括15-20個、1/4寸口徑的、噴射角度為90°的扇形噴嘴，每個噴嘴在0.12-0.16Mpa壓力下的流量為1-1.15?L/Min。

所述的烘干腔室的數量為2個，依次設置于漂洗腔室之后，在此基礎上，所述的烘干工序步驟中包括：