[發明專利]基板處理裝置以及基板處理方法有效
| 申請號: | 201310345501.9 | 申請日: | 2013-08-09 |
| 公開(公告)號: | CN103579054A | 公開(公告)日: | 2014-02-12 |
| 發明(設計)人: | 難波敏光 | 申請(專利權)人: | 大日本網屏制造株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司: | 隆天國際知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 宋曉寶;郭曉東 |
| 地址: | 日本國京*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 以及 方法 | ||
1.一種基板處理裝置,對基板進行處理,其特征在于,
具有:
腔室,具有腔室主體以及腔室蓋部,通過由所述腔室蓋部堵塞所述腔室主體的上部開口,來形成被密閉的內部空間,
基板保持部,配置在所述腔室的所述內部空間內,將基板保持為水平狀態,
基板旋轉機構,以朝向上下方向的中心軸為中心,使所述基板與所述基板保持部一起進行旋轉,
處理液排出部,將供給到所述基板上的處理液向所述腔室外排出;
所述基板旋轉機構具有:
環狀的轉子部,其配置在所述腔室的所述內部空間內,并安裝有所述基板保持部,
定子部,在所述腔室外配置在所述轉子部的周圍,在所述定子部與所述轉子部之間產生旋轉力。
2.如權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
該基板處理裝置還具有噴嘴,該噴嘴安裝在所述腔室蓋部上,用于向所述基板的上表面供給處理液。
3.如權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
該基板處理裝置還具有其他噴嘴,所述其他噴嘴在所述腔室主體上安裝在與所述基板的下表面相向的腔室底部,用于向所述基板的所述下表面供給處理液。
4.如權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
該基板處理裝置還具有:
多個升降銷,在以所述中心軸為中心的周向上排列,并從所述腔室蓋部向下突出,
升降銷移動機構,使所述多個升降銷相對于所述腔室蓋部在所述上下方向上進行移動;
通過所述升降銷移動機構使所述多個升降銷各自的頂端部從退避位置下降到交接位置,在所述交接位置,在所述多個升降銷和所述基板保持部之間進行基板的交接。
5.如權利要求4所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述腔室蓋部具有蓋突出部,該蓋突出部相比所述多個升降銷位于以所述中心軸為中心的徑向的內側,并向下方突出。
6.如權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
該基板處理裝置還具有:
處理液供給部,向所述腔室內供給處理液,
控制部,對所述基板旋轉機構以及所述處理液供給部進行控制;
通過所述控制部的控制,在所述基板保持部未保持基板的狀態下向所述腔室內供給所述處理液并進行貯存,在所述內部空間內在所述基板保持部的至少一部分浸漬在所述處理液中的狀態下,使所述基板保持部進行旋轉,由此進行所述腔室內的清洗處理。
7.如權利要求6所述的基板處理裝置,其特征在于,
在進行所述腔室內的清洗時,在所述處理液充滿所述內部空間的狀態下,使所述基板保持部進行旋轉。
8.如權利要求6所述的基板處理裝置,其特征在于,
在進行所述腔室內的清洗時,所述基板保持部向在以所述中心軸為中心的周向上的一個方向旋轉后,向在所述周向上的另一個方向旋轉。
9.如權利要求6所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述基板處理裝置還具有氣體排出部,該氣體排出部將所述內部空間的氣體向所述腔室外排出;
通過所述控制部的控制,在進行所述腔室內的清洗后,將所述內部空間的所述處理液向所述腔室外排出,然后,在使所述內部空間處于減壓環境的狀態下使所述基板旋轉機構旋轉,來進行所述腔室內的干燥處理。
10.如權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述處理液排出部從所述內部空間的下部排出處理液,
所述轉子部配置在所述基板保持部的周圍,
所述轉子部具有接受液體面,該接受液體面與所述基板的外周緣在徑向上相向,用于接受從所述基板的外周緣飛散的處理液并向下方引導。
11.如權利要求10所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述接受液體面擴展到所述基板的上表面的上側,并且,越靠近下方則越靠近所述徑向外側。
12.如權利要求10所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述轉子部還具有環狀突出部,所述環狀突出部在所述接受液體面的上側向所述徑向內側突出。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





