[發明專利]包括嵌入式MEMS器件的裝置和用于制造嵌入式MEMS器件的方法

有效

• 申請號: 201310345497.6
• 申請日: 2013-08-09
• 公開（公告）號: CN103569941A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發明（設計）人: E.菲爾古特;R.洛伊施納;H.托伊斯
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: B81B7/00
• 分類號: B81B7/00;B81C1/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 胡莉莉;劉春元

1.一種封裝的MEMS器件，其包括：

具有第一主表面的MEMS器件，所述第一主表面具有沿第一方向和第二方向的第一區域；

部署在MEMS器件的第一主表面上的膜；

與膜相鄰的背板；以及

灌封MEMS器件并限定背面容積的灌封材料，而背面容積具有沿第一方向和第二方向的第二區域，其中第一區域小于第二區域。

2.根據權利要求1所述的封裝的MEMS器件，進一步包括蓋子，其中蓋子被部署在MEMS器件的第二主表面上。

3.根據權利要求2所述的封裝的MEMS器件，其中，

蓋子包括背面容積。

4.根據權利要求1所述的封裝的MEMS器件，其中，

背面容積包括垂直的側壁。

5.根據權利要求1所述的封裝的MEMS器件，其中，

背面容積包括調和的側壁。

6.根據權利要求1所述的封裝的MEMS器件，其中，

膜和背板被配置為電容性地感測聲信號。

7.一種器件，其包括：

組件；

與組件相鄰部署的換能器；

在換能器旁邊的換能器開口；

灌封組件、換能器和部分換能器開口的灌封材料；以及

部署在密封換能器開口的灌封材料上的蓋子。

8.根據權利要求7所述的器件，其中，

換能器被配置為接收聲信號。

9.根據權利要求7所述的器件，其中，

蓋子密封開口的整個頂面。

10.根據權利要求7所述的器件，其中，

蓋子密封部分開口頂面。

11.根據權利要求7所述的器件，其中，

換能器開口是背面容積。

12.一種用于制造器件的方法，其包括：

在灌封材料中灌封換能器，換能器包括襯底；以及

在灌封材料中灌封換能器之后，刻蝕換能器的襯底以形成換能器開口。

13.根據權利要求12所述的方法，進一步包括在灌封材料中灌封組件。

14.根據權利要求12所述的方法，其中，

刻蝕換能器的襯底包括：

通過鉆孔或通孔到灌封材料中，來暴露換能器的襯底；以及

刻蝕換能器的襯底。

15.根據權利要求12所述的方法，其中，

刻蝕換能器的襯底包括：

暴露換能器的襯底；

研磨灌封材料；以及

刻蝕換能器的襯底。

16.根據權利要求12所述的方法，進一步包括用蓋子密封換能器開口。

17.根據權利要求12所述的方法，進一步包括通過在灌封材料上放置殼體，來延伸換能器開口。

18.一種制造集成器件的方法，其包括：

形成包括灌封材料的重構晶片，重構晶片包括在灌封材料中灌封的MEMS器件和組件；

在重構晶片的第一主表面上形成重新分布層（RDL），RDL電連接MEMS器件和組件；

從重構晶片的第二主表面暴露MEMS器件的襯底；

刻蝕MEMS器件的襯底，從而形成開口；

在重構晶片的第二主表面上形成材料層，從而密封開口；以及

切單片重構晶片，從而形成集成器件。

19.根據權利要求18所述的方法，其中，

形成材料包括在開口上選擇性地形成蓋子或帽。

20.根據權利要求18所述的方法，其中，

形成材料層包括在重構晶片的整個第二主表面上形成蓋子或帽。

21.根據權利要求18所述的方法，其中，

暴露襯底包括在重構晶片的第二主表面處在灌封材料中形成孔或通孔。

22.根據權利要求18所述的方法，其中，

暴露襯底包括在重構晶片的第二主表面處研磨灌封材料。

23.根據權利要求18所述的方法，其中，

MEMS器件包括硅膜和背板，并且其中開口是背面容積。