[發明專利]薄膜晶體管基板及其制造方法

有效

• 申請號: 201310345291.3
• 申請日: 2013-08-09
• 公開（公告）號: CN103579227B
• 公開（公告）日: 2018-07-06
• 發明（設計）人: 樸常鎬;姜秀馨;沈棟*;姜閏浩;柳世桓;李玟貞;李镕守
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 翟然

一種薄膜晶體管基板，包括：基底基板；有源圖案，設置在基底基板上；柵絕緣圖案，設置在有源圖案上；柵電極，設置在柵絕緣圖案上并交疊溝道；和光阻擋圖案，設置在基底基板與有源圖案之間并具有大于有源圖案的尺寸。有源圖案包括源電極、漏電極、和在源電極與漏電極之間的溝道。

技術領域

本發明的示范實施方式涉及薄膜晶體管基板以及制造薄膜晶體管的方法。更具體地，本發明的一個或多個示范實施方式涉及薄膜晶體管基板以及制造該薄膜晶體管的方法，該薄膜晶體管基板能減少或有效地防止由入射到其上的外界光導致的可靠性降低。

背景技術

通常，用于驅動顯示裝置中的像素的開關元件諸如薄膜晶體管包括柵電極、源電極、漏電極和在源電極與漏電極之間形成溝道的溝道層。溝道層包括半導體層，半導體層包括非晶硅、多晶硅、氧化物半導體等等。

柵電極與溝道層交疊，并可以設置在溝道層上方或下方。

然而，包括非晶硅、多晶硅、氧化物半導體等等的半導體層的電特性可以通過諸如外界光而退化。因此，薄膜晶體管可以包括光阻擋層以減小或防止開關元件的可靠性下降。

發明內容

本發明的一個或多個示范實施方式提供一種能夠保護溝道層不受外界光影響的薄膜晶體管基板。

本發明的一個或多個示范實施方式還提供一種制造薄膜晶體管基板的方法。

根據本發明的示范實施方式，薄膜晶體管基板包括：基底基板；有源圖案，設置在基底基板上；柵絕緣圖案，設置在有源圖案上；柵電極，設置在柵絕緣圖案上并交疊溝道；和光阻擋圖案，設置在基底基板與有源圖案之間并具有大于有源圖案的尺寸。有源圖案包括源電極、漏電極、和設置在源電極與漏電極之間的溝道。

在示范實施方式中，源電極、漏電極和溝道設置在薄膜晶體管基板的相同層中。

在示范實施方式中，薄膜晶體管基板還包括電連接到柵電極的柵線，該柵電極從柵線延伸。

在一示范實施方式中，光阻擋圖案包括在第一方向延伸并交疊一部分柵線的第一部分、沿交叉第一方向的第二方向從第一部分延伸并交疊柵電極的第二部分、和從第二部分延伸并交疊有源圖案的第三部分。

在示范實施方式中，光阻擋圖案交疊整個柵電極和整個有源圖案。

在示范實施方式中，光阻擋圖案包括在第一方向延伸并交疊有源圖案的第一區域、沿交叉第一方向的第二方向從第一區域延伸并交疊柵電極的第二區域。

在示范實施方式中，柵電極的一部分從溝道暴露，柵電極的暴露部分交疊光阻擋圖案。

在示范實施方式中，薄膜晶體管基板還包括設置在光阻擋圖案與有源圖案之間的緩沖圖案，緩沖圖案包括硅氧化物或硅氮化物。

在示范實施方式中，薄膜晶體管基板還包括設置在光阻擋圖案與基底基板之間的緩沖層。

在示范實施方式中，薄膜晶體管基板還包括電連接到源電極的數據線和覆蓋數據線的數據絕緣層，光阻擋圖案設置在數據絕緣層上。

在示范實施方式中，光阻擋圖案包括硅鍺合金、鍺或鈦氧化物。

在示范實施方式中，光阻擋圖案的厚度為大約100埃到大約2,000埃。

在示范實施方式中，有源圖案包括金屬氧化物，該金屬氧化物包括鋅氧化物(ZnO)、鋅錫氧化物(ZTO)、鋅銦氧化物(ZIO)、銦氧化物(InO)、鈦氧化物(TiO)、銦鎵鋅氧化物(IGZO)或銦鋅錫氧化物(IZTO)。