[發(fā)明專利]摻雜晶界聚雜法提純硅有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310344955.4 | 申請日： | 2013-08-09 |
| 公開（公告）號： | CN104340980B | 公開（公告）日： | 2018-07-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 姜學(xué)昭;馬保利;聶小妹;郭寶貴 | 申請（專利權(quán)）人： | 姜學(xué)昭 |
| 主分類號： | C01B33/037 | 分類號： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 102209 北京市昌*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 摻雜 晶界聚雜法 提純 | ||
1.摻雜晶界聚雜(ZJJJ)法提純硅的方法 ，其特征在于：
1)在熔融的待提純工業(yè)硅中加入占熔體重量百分比2-10％的一定特性并能熔于工業(yè)硅熔體的摻雜劑，保持高于此合金熔點(diǎn)100℃溫度下10-20分鐘，攪拌使含有摻雜劑的合金熔體均勻化；
2)采用帶有溫控儀的加熱爐調(diào)控降溫凝固全過程；由結(jié)晶前的降溫速率調(diào)整熔體過冷度控制晶核產(chǎn)生的數(shù)量，由結(jié)晶起始后的保溫加熱功率控制晶粒長大速度，結(jié)晶完畢冷卻至室溫，取出硅錠；
3)將摻有摻雜劑的硅錠浸入專用酸液中逐漸浸碎成0.1-0.5毫米粒度的片、條、粒狀并帶有棱角、平面的光亮硅晶粒；
4)上述硅晶粒再經(jīng)不同種類、不同濃度的酸液依次浸溶除雜后最后用低濃度堿液去除非活潑金屬的硅化物及硅粒表皮層，去離子水洗至中性，過濾，烘干得到提純后的成品高純硅粒；
所用摻雜劑可以是單質(zhì)、合金或化合物形態(tài)，應(yīng)具備有下列三種特征之一或兼有：
1)在硅中分凝系數(shù)K值≤10-3且與硅形成的硅化物易溶于酸中；
2)可使硅中雜質(zhì)的分凝系數(shù)值在含有摻雜劑的硅熔體中發(fā)生改變；
3)在硅中固溶度低。
2.權(quán)利要求1所述提純硅的方法，其特征在于：所述步驟4)的酸液為18％HCl、34％HNO3、HCL∶HF(1∶1)、王水，所用堿液為3％NaOH，依工業(yè)硅中雜質(zhì)差異和所用摻雜劑不同，其濃度和使用只需做相應(yīng)調(diào)整。
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