[發明專利]摻雜高濃度釹的釔鋁石榴石晶體的生長方法

無效

• 申請號: 201310344207.6
• 申請日: 2013-08-08
• 公開（公告）號: CN103422173A
• 公開（公告）日: 2013-12-04
• 發明（設計）人: 萬文;萬黎明
• 申請（專利權）人: 巢湖市環宇光學技術有限公司
• 主分類號: C30B29/28
• 分類號: C30B29/28;C30B15/00
• 代理公司: 安徽匯樸律師事務所 34116
• 代理人: 胡敏

1.摻雜高濃度釹的釔鋁石榴石晶體的生長方法，其特征在于，采用熔體提拉法制備，包括如下步驟：

（1）按預設的摻釹濃度進行計算、稱重配好原料，混合均勻，然后裝入乳膠模具中密封并通過等靜壓成型；

（2）將籽晶放入籽晶桿中；

（3）將成型的原料放入晶體爐中直徑為120mm的銥金坩堝內，調好溫場后抽真空，然后充入高純氬氣進行保護；

（4）采用中頻電源感應加熱升溫，使成型的原料全部熔化后，熔體液流線清晰穩定時開始緩慢下籽晶，至籽晶與熔體表面接觸；

（5）恒溫2小時，開始提拉籽晶，待籽晶表面稍熔后，提拉并轉動籽晶桿，開始晶體生長，晶體生長包括放肩、等徑生長、收尾和降溫四個階段，其中放肩角度控制在28-35°，當其下端直徑為40mm時，改變提拉速度并調整溫度開始轉肩使其直徑為42-43mm等徑生長，等徑生長轉速為13-17轉/分，提拉速度為0.6-0.8mm/h，晶體等徑生長30-40mm長度時改變轉速與提拉速度使其下端直徑為40-41mm等徑生長；等徑生長達到預定長度后，緩慢升溫收尾，從側面觀察收尾段形成上大下小的等腰梯形；至下角角度為102.5-105°且下端直徑為3-5mm時收尾結束，開始緩慢降溫提拉銥金坩堝內原料，保護坩堝，降到合適溫度點提拉桿停轉，繼續緩慢降溫，當中頻電源回流降至200A以下時，關閉電源，進行自然降溫；

（6）經過24小時自然降溫后，取出晶體。

2.如權利要求1所述的摻雜高濃度釹的釔鋁石榴石晶體的生長方法，其特征在于，在進行預設的摻釹濃度的釔鋁石榴石晶體制備前，先制備兩次摻釹濃度較低的釔鋁石榴石晶體。