[發(fā)明專利]電子器件制造方法、封裝制造方法、電子器件和電子設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310343947.8
• 申請日: 2013-08-08
• 公開（公告）號: CN103594384B
• 公開（公告）日: 2017-04-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鐮倉知之
• 申請（專利權(quán)）人: 精工愛普生株式會社
• 主分類號: H01L21/52
• 分類號: H01L21/52;H01L21/54;H01L21/50;H01L23/02
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11127
• 代理人: 李輝,黃綸偉

1.一種電子器件的制造方法，其特征在于，包括以下的工序：

準(zhǔn)備至少在一方設(shè)置有低熔點(diǎn)玻璃的底座基板以及蓋體；

在減壓環(huán)境下將所述低熔點(diǎn)玻璃加熱到流動點(diǎn)以上，對所述低熔點(diǎn)玻璃進(jìn)行消泡；

在隔著所述低熔點(diǎn)玻璃使所述底座基板以及所述蓋體重合之后，在減壓環(huán)境下將所述低熔點(diǎn)玻璃加熱到流動點(diǎn)以上，接合所述底座基板以及所述蓋體；以及

在所述接合的工序之前，利用保持部件在所述底座基板上安裝功能元件。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件的制造方法，其中，

在所述消泡的工序中，將所述低熔點(diǎn)玻璃加熱到作業(yè)點(diǎn)以上。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電子器件的制造方法，其中，

在所述接合的工序中，將所述低熔點(diǎn)玻璃加熱到流動點(diǎn)以上且作業(yè)點(diǎn)以下。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電子器件的制造方法，其中，

在所述消泡的工序之前，包括這樣的工序：在含有氧的環(huán)境中將所述低熔點(diǎn)玻璃加熱到低于轉(zhuǎn)移點(diǎn)的溫度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件的制造方法，其中，

所述低熔點(diǎn)玻璃至少設(shè)置在底座基板上，

在所述消泡的工序之前進(jìn)行安裝所述功能元件的工序。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電子器件的制造方法，其中，

在所述消泡的工序中，與所述低熔點(diǎn)玻璃的消泡同時進(jìn)行所述保持部件的煅燒。

7.一種封裝的制造方法，其特征在于，包括以下的工序：

準(zhǔn)備至少在一方設(shè)置有低熔點(diǎn)玻璃的底座基板以及蓋體；

在減壓環(huán)境下將所述低熔點(diǎn)玻璃加熱到流動點(diǎn)以上，對所述低熔點(diǎn)玻璃進(jìn)行消泡；以及

在隔著所述低熔點(diǎn)玻璃使所述底座基板以及所述蓋體重合之后，在減壓環(huán)境下將所述低熔點(diǎn)玻璃加熱到流動點(diǎn)以上，接合所述底座基板以及所述蓋體。

8.一種電子器件，在利用低熔點(diǎn)玻璃接合底座基板和蓋體而構(gòu)成的內(nèi)部空間中配置有功能元件，其特征在于，

所述低熔點(diǎn)玻璃為致密狀態(tài)。

9.一種電子設(shè)備，其特征在于，該電子設(shè)備具備權(quán)利要求8所述的電子器件。