[發(fā)明專利]非易失性存儲(chǔ)器件和編程方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310343797.0 | 申請(qǐng)日: | 2013-08-08 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103578551B | 公開(公告)日: | 2019-04-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 郭東勛 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三星電子株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | G11C16/10 | 分類號(hào): | G11C16/10;G11C16/24;G11C16/06 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人: | 陳源;張帆 |
| 地址: | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 韓國(guó);KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 非易失性存儲(chǔ)器 編程 方法 | ||
1.一種用于非易失性存儲(chǔ)器的編程方法,所述非易失性存儲(chǔ)器包括設(shè)置在物理頁(yè)中的存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)單元陣列,所述物理頁(yè)與連接到所述存儲(chǔ)單元陣列的相應(yīng)字線的存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng),其中每一個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)多達(dá)N個(gè)比特的數(shù)據(jù),N是大于2的整數(shù),所述N個(gè)比特包括最低有效位、至少一個(gè)中心有效位和最高有效位,所述方法包括步驟:
接收第一數(shù)據(jù)并且根據(jù)所述存儲(chǔ)單元的物理頁(yè)的單比特頁(yè)容量對(duì)所述第一數(shù)據(jù)進(jìn)行分割從而生成已分割第一數(shù)據(jù);
將所述已分割第一數(shù)據(jù)作為最低有效位數(shù)據(jù)分別編程到所述物理頁(yè);
接收第二數(shù)據(jù)并且根據(jù)單個(gè)物理頁(yè)的剩余比特容量對(duì)所述第二數(shù)據(jù)進(jìn)行劃分從而生成已劃分第二數(shù)據(jù);以及
將所述已劃分第二數(shù)據(jù)作為中心有效位數(shù)據(jù)和最高有效位數(shù)據(jù)編程到所述第一數(shù)據(jù)作為最低有效位數(shù)據(jù)被編程到的物理頁(yè)當(dāng)中的所選物理頁(yè),其中所述已劃分第二數(shù)據(jù)被同時(shí)編程到所選物理頁(yè),
其中,所選物理頁(yè)與各字線中的所選字線連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器的編程方法,其中,所述已分割第一數(shù)據(jù)被存儲(chǔ)在相應(yīng)物理頁(yè)的多個(gè)最低有效位邏輯頁(yè)內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的非易失性存儲(chǔ)器的編程方法,其中,將所述已劃分第二數(shù)據(jù)編程到僅所選物理頁(yè)中的至少一個(gè)中心有效位邏輯頁(yè)和最高有效位邏輯頁(yè)中,
其中,所述第一數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)大小與所述第二數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)大小相同。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器的編程方法,其中,所述存儲(chǔ)單元陣列是三維存儲(chǔ)單元陣列,其包括:
多個(gè)單元串,每一個(gè)單元串在第一方向上延伸;
在第三方向上延伸的多條位線;以及
在第二方向上延伸的所述字線。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的非易失性存儲(chǔ)器的編程方法,其中,所述多個(gè)物理頁(yè)當(dāng)中的每一個(gè)物理頁(yè)的存儲(chǔ)單元共同由所述多條字線的其中之一控制,并且被共同布置在所述三維存儲(chǔ)單元陣列內(nèi)的相同高度。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的非易失性存儲(chǔ)器的編程方法,其中,每一個(gè)單元串連接到所述多條位線的其中之一,并且包括串聯(lián)設(shè)置在串選擇晶體管與接地選擇晶體管之間的多個(gè)存儲(chǔ)單元,
所述多個(gè)存儲(chǔ)單元當(dāng)中的每一個(gè)分別由所述多條字線的其中之一控制,每一個(gè)串選擇晶體管由串選擇線控制,每一個(gè)接地選擇晶體管由接地選擇線控制。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的非易失性存儲(chǔ)器的編程方法,其中,所述多個(gè)物理頁(yè)當(dāng)中的每一個(gè)由一條串選擇線選擇。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的非易失性存儲(chǔ)器的編程方法,其中,每一個(gè)存儲(chǔ)單元是電荷捕獲閃速存儲(chǔ)單元。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器的編程方法,其中,將所述已劃分第二數(shù)據(jù)作為中心有效位數(shù)據(jù)和最高有效位數(shù)據(jù)編程到所選物理頁(yè)包括遞增步長(zhǎng)脈沖編程。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器的編程方法,其中,在不對(duì)所選物理頁(yè)執(zhí)行中間擦寫操作的情況下,將所述已分割第一數(shù)據(jù)作為最低有效位數(shù)據(jù)分別編程到物理頁(yè)以及將所述已劃分第二數(shù)據(jù)作為中心有效位數(shù)據(jù)和最高有效位數(shù)據(jù)編程到所選物理頁(yè)。
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