[發明專利]LED芯片及其制備方法

有效

• 申請號: 201310343630.4
• 申請日: 2013-08-08
• 公開（公告）號: CN103390710A
• 公開（公告）日: 2013-11-13
• 發明（設計）人: 陳家洛;吳飛翔;陳立人
• 申請（專利權）人: 聚燦光電科技（蘇州）有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L33/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 常亮

1.一種LED芯片，所述LED芯片包括襯底以及依次位于襯底上的N型半導體層、發光層、P型半導體層、透明導電層以及位于透明導電層上與透明導電層電連接的P電極和位于透明導電層旁側與N型半導體層電連接的N電極，其特征在于，所述透明導電層上設有若干非均勻分布的開孔圖形，所述開孔圖形的疏密分布與電流的疏密分布相對應設置。

2.根據權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述非均勻分布的開孔圖形包括：

當透明導電層方阻大于N型半導體層方阻時，開孔圖形在P電極周圍密集分布，在N電極周圍稀疏分布、或者沒有開孔圖形；

當透明導電層方阻小于N型半導體層方阻時，開孔圖形在N電極周圍密集分布，在P電極周圍稀疏分布、或者沒有開孔圖形。

3.根據權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述透明導電層為ITO、ZnO、CdO、Cd₂SnO₄中的一層或多層的組合。

4.根據權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述開孔圖形包括圓、多邊形中的一種或兩種。

5.根據權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述開孔圖形的尺寸為2～15μm，開孔圖形間距為5～50μm。

6.根據權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述開孔圖形的排列為蜂窩狀、井狀或不規則排列。

7.根據權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述P電極下方全部或部分設有與P型半導體層接觸的電流阻隔層，所述電流阻隔層為圓形或圓環形。

8.一種如權利要求1所述的LED芯片的制備方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

S1、提供一襯底；

S2、在所述襯底上依次形成N型半導體層、發光層、P型半導體層；

S3、在P型半導體層上沉積透明導電層；

S4、使用掩膜版對透明導電層進行光刻，所述掩膜版上設置非均勻分布的開孔圖形，光刻后透明導電層上設有若干非均勻分布的開孔圖形；

S5、制作N電極和P電極。

9.根據權利要求8所述的LED芯片的制備方法，其特征在于，所述S5中掩膜版的設置方法包括：

制備一定厚度的非圖形化透明導電層；

在額定驅動電流下，利用LED光電測試系統測試出LED芯片表面各區域的出光強度；

根據出光強度在掩膜版上設計對應的開孔圖形，出光強度高處，表示注入的電流密度大，需要制作密集的開孔圖形，出光強度低處，表示注入的電流密度小，需要制作稀疏的開孔圖形、或不制作開孔圖形。

10.根據權利要求8所述的LED芯片的制備方法，其特征在于，所述步驟S3中透明導電層的制備方法包括CVD、PVD或旋涂。