[發明專利]一種基于金屬釕修飾的多孔硅表面金屬電極制備方法

有效

• 申請號: 201310343200.2
• 申請日: 2013-08-08
• 公開（公告）號: CN103367134A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發明（設計）人: 李偉;余鋒;廖家科;郭安然;王沖;蔣亞東
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L21/283
• 分類號: H01L21/283;H01L21/28
• 代理公司: 成都華典專利事務所(普通合伙) 51223
• 代理人: 徐豐;楊保剛

1.一種基于金屬釕修飾的多孔硅表面金屬電極制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

①對多孔硅進行金屬修飾前處理；

②金屬釕修飾多孔面；

③對金屬釕修飾后的多孔硅進行干燥處理；

④在金屬釕修飾后的多孔硅表面沉積金屬電極；

⑤快速退火；

⑥光刻形成指定電極形狀。

2.根據權利要求1所述的基于金屬釕修飾的多孔硅表面金屬電極制備方法，其特征在于，該制備方法更詳細的描述為：

①對多孔硅表面進行金屬修飾前處理：首先采用HF水溶液去除多孔硅表面氧化層，然后用去離子水進行洗滌；

②釕修飾多孔面，即將洗滌后的多孔硅放入氯化釕的酸溶液中侵泡；

③對金屬釕修飾后的多孔硅進行干燥處理，使釕修飾后的多孔硅表面形成一層釕顆粒和氧化硅的過渡層；

④在經步驟③處理后的多孔硅表面上沉積金屬電極；

⑤對步驟④沉積金屬電極后的多孔硅進行快速退火處理；

采用光刻工藝將金屬電極刻蝕成指定電極形狀，完成電極制備。

3.根據權利要求2所述的基于金屬釕修飾的多孔硅表面金屬電極制備方法，其特征在于，在步驟①中所述HF溶液的濃度為10%，作用時間為10s；在步驟②中所述氯化釕酸溶液是摩爾濃度為0.01mol/L的RuCl₃溶液與摩爾濃度為40ml/L?的HCl溶液的混合液，反應時間為30s～60s。

4.根據權利要求2所述的基于金屬釕修飾的多孔硅表面金屬電極制備方法，其特征在于，在步驟③中所述干燥處理溫度為100~120℃，處理時間為10min，干燥處理的設備為電烘烤箱。

5.根據權利要求2所述的基于金屬釕修飾的多孔硅表面金屬電極制備方法，其特征在于，步驟④中所述沉積的金屬電極厚度為0.2μm。

6.根據權利要求2所述的基于金屬釕修飾的多孔硅表面金屬電極制備方法，其特征在于，在步驟⑤中所述快速退火處理溫度為300~500℃，在氬氣氣氛下退火30s~1min。