[發(fā)明專利]一種電解電容擊穿試驗擊穿點的捕捉方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310342854.3
• 申請日: 2013-08-08
• 公開（公告）號: CN103364622A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王時光;劉銀元;郭新華;何坤池;李榮麗
• 申請（專利權(quán)）人: 株洲硬質(zhì)合金集團(tuán)有限公司
• 主分類號: G01R19/175
• 分類號: G01R19/175
• 代理公司: 長沙永星專利商標(biāo)事務(wù)所 43001
• 代理人: 周詠;林毓俊

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及電容檢測方法，特別涉及捕捉電解電容擊穿點的一種方法。

背景技術(shù)

電解電容擊穿是由于陽極氧化膜介質(zhì)膜破裂，導(dǎo)致電解液直接與陽極接觸而造成的。氧化膜可能因各種材質(zhì)，工藝或環(huán)境條件等方面的原因而受到局部損傷。在外加電場的作用下工作電解液提供的氧離子可在損傷部位重新形成氧化膜，使陽極氧化膜得以填平修復(fù)。但是如果在損傷部位存在雜質(zhì)離子或其他缺陷，使填平修復(fù)工作無法完善，則在陽極氧化膜上會留下微孔，甚至可能成為穿透孔，使電解電容擊穿。

現(xiàn)有檢測電解電容擊穿電壓的方法是將電解電容置于含氧酸根離子溶液中，將電解電容接穩(wěn)壓穩(wěn)流電源的正極，溶液接穩(wěn)壓穩(wěn)流電源的負(fù)極。按不同規(guī)格電解電容檢測工藝，通過穩(wěn)壓穩(wěn)流電源輸出恒流電場，直至試件擊穿。

由于電解電容在擊穿試驗或形成等過程因材質(zhì)不同、規(guī)格不同的電解電容在各階段的電壓波形相當(dāng)復(fù)雜，難以用統(tǒng)一的物理量加以描述。附圖1中列舉了兩個電解電容的擊穿波形，因電解電容自身和外界的原因，以及擊穿試驗過程等工藝原因擊穿電壓波形中波峰、波幅及周期存在無規(guī)則性，捕捉其是否擊穿在現(xiàn)有技術(shù)中只有模擬信號。現(xiàn)有技術(shù)中通常采用示波器法和電壓記錄儀法，是在輸出電源上并接電壓記錄儀或示波器，通過將信號放大，在電壓記錄儀上讀取峰值電壓即為試件的擊穿電壓值。但這一技術(shù)受環(huán)境、設(shè)備的零點漂移、信號干擾等因素影響，記錄數(shù)據(jù)波動大，數(shù)值精度不高。整個擊穿試驗或形成過程數(shù)小時記錄很長，讀取費時費力。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是提供一種電解電容擊穿試驗擊穿點的捕捉方法，可以精確捕捉擊穿點。

本發(fā)明提供的電解電容擊穿試驗擊穿點的捕捉方法，包括以下步驟：

（1）設(shè)定采樣時間Δt、采樣個數(shù)n和時間上限T₁，其中T₁＞Δt；設(shè)置最大電壓U_max的初始值和時間參數(shù)T_i的初始值，其中U_max的初始值小于U₀，T_i的初始值≤T₁-Δt；其中U₀為擊穿試驗過程開始經(jīng)過T₁-Δt時間達(dá)到的電壓值；

（2）擊穿試驗過程開始，每采樣時間Δt內(nèi)采集n個電壓值并計算其算術(shù)平均值????????????????????????????????????????????????；

（3）將平均值與最大電壓U_max比較大小，若＞U_max時，用的值替代U_max的值，即令U_max=，如此往復(fù)；每一次U_max被更新，時間T_i清零并重新計時；

（4）比較最大電壓U_max被更新時的時間參數(shù)T_i與時間上限T₁的大小，若T_i?>T₁，判斷為電解電容擊穿。

作為改進(jìn)，所述采集的方法為，采樣時間Δt內(nèi)每隔相等的時間間隔均勻采集n個電壓值。

作為改進(jìn)，步驟（1）設(shè)置最大電壓U_max的初始值為0、時間參數(shù)T_i的初始值為0。

本發(fā)明提供一種用數(shù)字信號捕捉擊穿點的一種方法，在電解電容擊穿試驗中可以精確檢測到電解電容發(fā)生擊穿，并捕捉擊穿點電壓，解決了現(xiàn)有技術(shù)中存在因電解電容發(fā)生擊穿的持續(xù)時間較短而不能精確檢測的問題，同時也解決了受環(huán)境影響不能精確檢測電解電容發(fā)生擊穿的問題。同時，本發(fā)明可通過設(shè)置采集精度、時間上限等參數(shù)更精確的捕捉擊穿點。

附圖說明

圖1為電解電容擊穿電壓波形示意圖。

圖2為電解電容擊穿試驗電流（電壓）-時間示意圖。

具體實施方式

以下結(jié)合附圖對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)的說明：