[發(fā)明專利]中空顆粒的分散體的制造方法、減反射膜的制造方法和光學(xué)元件的制造方法無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310342590.1 | 申請(qǐng)日: | 2013-08-08 | 
| 公開(公告)號(hào): | CN103570030A | 公開(公告)日: | 2014-02-12 | 
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 龜野優(yōu) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 佳能株式會(huì)社 | 
| 主分類號(hào): | C01B33/18 | 分類號(hào): | C01B33/18;C03C17/23;C09D1/00 | 
| 代理公司: | 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038 | 代理人: | 李英 | 
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP | 
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 | 
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 中空 顆粒 散體 制造 方法 減反射膜 光學(xué) 元件 | ||
1.中空顆粒的分散體的制造方法,該方法包括:
通過在水性介質(zhì)中在主要由有機(jī)化合物制成的顆粒的表面上形成主要由無機(jī)系化合物制成的殼來制備核殼型顆粒,和
通過使核殼型顆粒疏水化并且用芳族有機(jī)溶劑對(duì)核殼型顆粒進(jìn)行抽提而得到由殼形成的中空顆粒的分散體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的中空顆粒的分散體的制造方法,其中核殼型顆粒的平均殼厚度為2nm-10nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的中空顆粒的分散體的制造方法,其中疏水化處理是采用硅烷偶聯(lián)劑和硅烷化劑中的一者的處理。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3的任一項(xiàng)的中空顆粒的分散體的制造方法,其中核殼型顆粒具有20nm-210nm的數(shù)均顆粒直徑。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4的任一項(xiàng)的中空顆粒的分散體的制造方法,其中核殼型顆粒中的殼主要由RySiOz表示的單元制成,其中R表示烴基,0≤y≤1,1≤z≤2。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5的任一項(xiàng)的中空顆粒的分散體的制造方法,其中無機(jī)系化合物是硅氧烷化合物。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6的任一項(xiàng)的中空顆粒的分散體的制造方法,其中中空顆粒的多分散指數(shù)為0.200以下。
8.減反射膜的制造方法,該方法包括:
采用根據(jù)權(quán)利要求1-7的任一項(xiàng)的方法得到中空顆粒的分散體;和
通過在基材上涂布中空顆粒的分散體來制備減反射膜。
9.光學(xué)元件的制造方法,該方法包括:
采用根據(jù)權(quán)利要求1-7的任一項(xiàng)的方法得到中空顆粒的分散體;和
通過在光學(xué)元件上涂布中空顆粒的分散體來制備包括減反射膜的光學(xué)元件。
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